دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: G. J. Dienes (auth.), Adli Bishay (eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781468430233, 9781468430219 ناشر: Springer US سال نشر: 1974 تعداد صفحات: 420 [422] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 17 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Recent Advances in Science and Technology of Materials: Volume 1 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پیشرفت های اخیر در علم و فناوری مواد: جلد 1 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
اگر یک یون در یک کریستال با یک یون ناخالص با بار متفاوت جایگزین شود، جبران اختلاف بار باید انجام شود. این معمولاً توسط یک نقص ذاتی انجام می شود. ه. یک جای خالی شبکه یا یون میزبان بینابینی، به گونه ای که مازاد یا کسری بار را متعادل کند. معرفی کاتیون های خالی همراه با ناخالصی های کاتیون دو ظرفیتی در هالیدهای قلیایی یک مثال آشنا است. اگر این کریستال ها با دقت بازپخت شوند، تقریباً تمام عیوب جبران کننده به یون های ناخالصی مهاجرت می کنند تا مجتمع های ناخالصی-عیب را تشکیل دهند. این رفتار این مجموعه هاست که دغدغه اصلی این مقاله است. تقریباً همیشه چنین کمپلکسهایی دوقطبی هستند و هنگامی که تحت یک میدان تنش الکتریکی یا مکانیکی قرار میگیرند، تمایل دارند به سمت جهتی با انرژی پایینتر قرار بگیرند، مشروط بر اینکه فعالسازی حرارتی به اندازه کافی زیاد باشد. اگر مجتمع متشکل از یک زوج ناخالصی-جای خالی باشد، جهت گیری مجدد ممکن است با جابجایی جای خالی در اطراف ناخالصی یا با مبادله موقعیت های شرکا رخ دهد. به طور کلی انرژی فعال سازی برای این دو مسیر جهت گیری مجدد مجزا متفاوت است. اگر مجموعه از یک زوج ناخالصی-بینابینی تشکیل شده باشد، مبادله موقعیت ها بعید است و جهت گیری مجدد منحصراً با حرکت بینابینی در اطراف جای خالی رخ می دهد.
If an ion in a crystal is replaced by an impurity ion with a different charge, compensation for the charge difference must be accomplished. This is usually done by an intrinsic defect, i. e. a lattice vacancy or interstitial host ion, in such a way to balance the excess or deficit of charge. The introduction of cation vacan cies along with divalent cation impurities in alkali halides is a familiar example. If these crystals are carefully annealed, nearly all of the compensating defects migrate to the impurity ions to form impurity-defect complexes. It is the behavior of these complexes that are the principal concern in this paper. Almost invariably such complexes are dipolar in character, and when subjected to an electric or mechanical stress field, they will tend to realign to an orienta tion of lower energy provided the thermal activation is sufficiently great. If the complex consists of an impurity-vacancy couple, re orientation may occur either by the vacancy moving around the impu rity or by an exchange of positions of the partners. In general the activation energy for these two distinct reorientation paths is different. If the complex consists of an impurity-interstitial couple, interchange of positions is unlikely and reorientation is considered to occur exclusively by the motion of the interstitial around the vacancy.
Front Matter....Pages i-xv
Kinetics of Defect Formation in Alkali Halides at Helium Temperatures....Pages 1-14
Relaxation of Impurity-Defect Complexes in Fluorite Crystals....Pages 15-26
Intrinsic Point Defects in Oxides with the Rutile Structure....Pages 27-38
The Capture of Electrons by Negatively Charged Impurity Atoms in N-Type Germanium....Pages 39-46
Radiation Defects in Heavily Irradiated GaAs....Pages 47-58
The Problem of Chemical Inhomogeneities in Electronic Materials....Pages 59-75
A Review of the Electrical Properties and Microstructure of Vanadium Phosphate Glasses....Pages 77-90
Electrical Switching in Calcium Phosphate Glasses Containing Iron....Pages 91-107
Role of Iron and Electrical Conductivity in Iron Calcium Phosphate Glasses....Pages 109-130
Properties of Simultaneously Sputtered Thin Metal Films....Pages 131-141
Indirect Exciton with Degenerate Valence Band in the Two-Photon Absorption in Semiconductors....Pages 143-151
Structure of Chalcogenide Glasses....Pages 153-170
Effect of Heat Treatment on Electrical Properties and Structure of As-Te-Ge Chalcogenide Thin Films....Pages 171-188
Application of Avrami’s Equation to the Conductivity Changes of Amorphous Selenium....Pages 189-196
Electrical Properties of Quenched SnO 2 Films on Glass Substrates....Pages 197-204
Physical Properties of Sputtered Amorphous Germanium Thin Films: The Role of Technological Parameters....Pages 205-210
Some Recent Results on Paramagnetic Spin-Lattice Relaxation in Hydrated Paramagnetic Salts of the Iron Group....Pages 211-233
ESR and Optical Studies of Induced Centres in Binary Silver and Alkali Borate Glasses....Pages 235-246
ESR and Structural Studies on Pseudo-Alexandrite....Pages 247-258
Magnetic and X-Ray Crystallographic Studies of a Series of Nitrosodisulphonates and Hydroxylamine-N, N-Disulphonates....Pages 259-269
Development of Materials for Energy-Related Applications....Pages 271-280
Problem Areas in the First-Wall Materials of a Controlled Thermonuclear Reactor....Pages 281-291
Simulation of 14-MeV Neutron Damage to Potential CTR Materials....Pages 293-308
Deformation Luminescence of Irradiated CsI (Tl) Crystals....Pages 309-319
A Bond-Type Criterion to Predict Bombardment-Induced Structure Changes in Non-Metallic Solids....Pages 321-336
Surface Area and Pore Structure of Low-Porosity Cement Pastes....Pages 337-349
Adsorptive Behaviour of Alkali and Alkaline-Earth Cations onto Quartz....Pages 351-364
Adsorption of some Starches on Particles of Spar Minerals....Pages 365-374
Sintering of Cobalt-Molybdenum Oxide Films on Alumina Supports....Pages 375-387
Properties of Anodized Zinc in Alkaline Solutions....Pages 389-406
Back Matter....Pages 407-419