Rare-Earth Implanted MOS Devices for Silicon Photonics: Microstructural, Electrical and Optoelectronic Properties

این کتاب بر روی ویژگی‌های ریزساختاری، الکتریکی و اپتوالکترونیکی ساختارهای MOS کاشته‌شده در زمین‌های کمیاب و استفاده از آنها به‌عنوان ساطع کننده نور در کاربردهای بالقوه تمرکز دارد. این فرآیندهای تشکیل ساختاری در اکسید دروازه را در طول ساخت و در حال بهره برداری توصیف می کند، چگونه این توسعه ریزساختار بر عملکرد دستگاه الکتریکی تأثیر می گذارد و چگونه هر دو ریزساختار و ویژگی های الکتریکی ویژگی های نوری الکترونیکی ساطع کننده های نور را تعیین می کنند. با این حال، بسیاری از فرآیندهای فیزیکی مورد بحث و همچنین روش‌های ساخت توصیف‌شده و تکنیک‌های مشخصه‌سازی دستگاه مورد توجه عمومی هستند و خارج از محدوده این نوع ساطع کننده نور هستند. این کتاب برای مهندسان، فیزیکدانان و دانشمندانی که به طور خاص با فوتونیک مبتنی بر Si یا به طور کلی با ساخت و تعیین مشخصات دستگاه نوری سروکار دارند، ارزشمند خواهد بود.

The book concentrates on the microstructural, electric and optoelectronic properties of rare-earth implanted MOS structures and their use as light emitters in potential applications. It describes the structural formation processes in the gate oxide during fabrication and under operation, how this microstructure development will affect the electrical device performance and how both microstructure and electrical characteristics determine the optoelectronic features of the light emitters. However, most of the discussed physical processes as well as the described fabrication methods and device characterization techniques are of general interest and are beyond the scope of this type of light emitter. The book will be of value to engineers, physicists, and scientists dealing either with Si based photonics in particular or optoelectronic device fabrication and characterization in general.