ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Radiation Effects in Advanced Microelectronics: Issues for SOI, Bipolar, and CMOS Technologies

دانلود کتاب اثرات تابش در میکروالکترونیک پیشرفته: مسائل مربوط به SOI، دو قطبی و تکنولوژی CMOS

Radiation Effects in Advanced Microelectronics: Issues for SOI, Bipolar, and CMOS Technologies

مشخصات کتاب

Radiation Effects in Advanced Microelectronics: Issues for SOI, Bipolar, and CMOS Technologies

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 375 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 54,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب Radiation Effects in Advanced Microelectronics: Issues for SOI, Bipolar, and CMOS Technologies به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اثرات تابش در میکروالکترونیک پیشرفته: مسائل مربوط به SOI، دو قطبی و تکنولوژی CMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی



فهرست مطالب

CD Home Page......Page 0
2001 Home......Page 1
Table of Contents......Page 3
Section I - Introduction......Page 4
Section II - Silicon-on-Insulator Technology: Overview and Device Physics......Page 10
Section III - Silicon-on-Insulator Technologies: Radiation Effects......Page 81
Section IV - Physics and Hardness Assurance for Bipolar Technologies......Page 202
Section V - Single-Event Transients in Fast Electronic Circuits......Page 270




نظرات کاربران