برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Radiation Defect Engineering (Selected Topics in Electronics and Systems)

دانلود کتاب مهندسی نقص تابشی (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها)

مشخصات کتاب

Radiation Defect Engineering (Selected Topics in Electronics and Systems)

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش:  
نویسندگان: Kozlovski Vitali. Abrosimova Vera  
سری:  
ISBN (شابک) : 9812565213, 9789812565211 
ناشر: World Scientific Publishing Company 
سال نشر: 2005 
تعداد صفحات: 262 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 13 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 33,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب مهندسی نقص تابشی (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها): فیزیک، فیزیک حالت جامد، فیزیک فلزات

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 8

در صورت تبدیل فایل کتاب Radiation Defect Engineering (Selected Topics in Electronics and Systems) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مهندسی نقص تابشی (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب مهندسی نقص تابشی (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها)

پیچیدگی فزاینده مشکلات در الکترونیک نیمه هادی و اپتوالکترونیک پتانسیل ناکافی فرآیندهای دوپینگ تکنولوژیکی که در حال حاضر استفاده می شود را آشکار کرده است. یکی از امیدوارکننده‌ترین تکنیک‌هایی که این کتاب به بررسی آن می‌پردازد، دوپینگ تابشی است: اصلاح عمدی و جهت‌دار خواص نیمه‌رساناها تحت تأثیر انواع مختلف تابش. نویسندگان اصول اولیه برهمکنش های پروتون با نیمه هادی های تک کریستالی را بر اساس نتایج تئوری و عملی در نظر می گیرند. همه انواع اصلاحات پروتونی مواد شناخته شده در حال حاضر به تفصیل مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرند و زمینه های جدید تحقیقاتی هیجان انگیز در این راستا مورد بحث قرار می گیرند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials known presently are analyzed in detail and exciting new fields of research in this direction are discussed.