ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Quantum Effects, Heavy Doping, And The Effective Mass

دانلود کتاب اثرات کوانتومی، دوپینگ سنگین، و جرم موثر

Quantum Effects, Heavy Doping, And The Effective Mass

مشخصات کتاب

Quantum Effects, Heavy Doping, And The Effective Mass

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9813146516 
ناشر: World Scientific 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 746 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 10 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 29,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Quantum Effects, Heavy Doping, And The Effective Mass به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اثرات کوانتومی، دوپینگ سنگین، و جرم موثر نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اثرات کوانتومی، دوپینگ سنگین، و جرم موثر

اهمیت جرم موثر (EM) از زمان پیدایش فیزیک حالت جامد به خوبی شناخته شده است و این اولین تک نگاری در نوع خود صرفاً به اثرات کوانتومی در EM نانوساختارهای به شدت دوپ شده (HD) می پردازد. مواد در نظر گرفته شده عبارتند از اپتیکال غیرخطی محدود کوانتومی HD، III-V، II-VI، IV-VI، GaP، Ge، PtSb2، مواد تنش، GaSb، Te، II-V، Bi2Te3، تلورید ژرمانیوم سرب، دی فسفید روی و کادمیوم، و سوپرشبکه های III-V، II-VI، IV-VI، و HgTe/CdTe محدود کوانتومی با رابط های درجه بندی شده و ابرشبکه های جرم موثر. وجود امواج نوری شدید در اپتوالکترونیک و میدان الکتریکی قوی در دستگاه‌های نانو، ساختار نواری نیمه‌رساناها را به روش‌های اساسی تغییر می‌دهد، که در مطالعه EM در ساختارهای کوانتیزه HD ترکیبات اپتوالکترونیکی که مطالعات HD را کنترل می‌کنند نیز گنجانده شده‌اند. دستگاه های اثر کوانتومی تحت میدان های قوی اهمیت اندازه‌گیری فاصله باند در مواد نوری الکترونیکی تحت میدان‌های شدید خارجی نیز در این زمینه مورد بحث قرار گرفته است. تأثیرات کوانتیزاسیون مغناطیسی، میدان های الکتریکی و کوانتیزاسیون متقاطع، میدان الکتریکی و امواج نور بر EM در نیمه هادی های HD و ابرشبکه ها مورد بحث قرار گرفته است. محتوای این کتاب بیست و هشت کاربرد مختلف را در عرصه علوم نانو و نانو پیدا می کند. -فن آوری. این کتاب شامل 200 مسئله تحقیقاتی باز است که بخش جدایی ناپذیر متن را تشکیل می‌دهد و برای داوطلبان دکتری و محققین در زمینه‌های فیزیک ماده چگال، علم مواد، علوم حالت جامد، علوم و فناوری نانو و رشته‌های وابسته به آن مفید است. دوره های تحصیلات تکمیلی نانوساختارهای نیمه هادی این کتاب برای دانشجویان کارشناسی ارشد، محققین، مهندسان و متخصصان رشته های فیزیک ماده چگال، علوم حالت جامد، علم مواد، علم و فناوری نانو و به طور کلی مواد نانوساختار نوشته شده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The importance of the effective mass (EM) is already well known since the inception of solid-state physics and this first-of-its-kind monograph solely deals with the quantum effects in EM of heavily doped (HD) nanostructures. The materials considered are HD quantum confined nonlinear optical, III-V, II-VI, IV-VI, GaP, Ge, PtSb2, stressed materials, GaSb, Te, II-V, Bi2Te3, lead germanium telluride, zinc and cadmium diphosphides, and quantum confined III-V, II-VI, IV-VI, and HgTe/CdTe super-lattices with graded interfaces and effective mass super-lattices. The presence of intense light waves in optoelectronics and strong electric field in nano-devices change the band structure of semiconductors in fundamental ways, which have also been incorporated in the study of EM in HD quantized structures of optoelectronic compounds that control the studies of the HD quantum effect devices under strong fields. The importance of measurement of band gap in optoelectronic materials under intense external fields has also been discussed in this context. The influences of magnetic quantization, crossed electric and quantizing fields, electric field and light waves on the EM in HD semiconductors and super-lattices are discussed.The content of this book finds twenty-eight different applications in the arena of nano-science and nano-technology. This book contains 200 open research problems which form the integral part of the text and are useful for both PhD aspirants and researchers in the fields of condensed matter physics, materials science, solid state sciences, nano-science and technology and allied fields in addition to the graduate courses in semiconductor nanostructures. The book is written for post-graduate students, researchers, engineers and professionals in the fields of condensed matter physics, solid state sciences, materials science, nanoscience and technology and nanostructured materials in general.





نظرات کاربران