ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Pulsed and Pulsed Bias Sputtering: Principles and Applications

دانلود کتاب کندوپاشی سوگیری پالس و پالس: اصول و کاربردها

Pulsed and Pulsed Bias Sputtering: Principles and Applications

مشخصات کتاب

Pulsed and Pulsed Bias Sputtering: Principles and Applications

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781402075438, 9781461504115 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 2003 
تعداد صفحات: 151 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 53,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب کندوپاشی سوگیری پالس و پالس: اصول و کاربردها: مواد نوری و الکترونیکی، سطوح و رابط ها، لایه های نازک، شیمی فیزیک، علوم پلیمر



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 17


در صورت تبدیل فایل کتاب Pulsed and Pulsed Bias Sputtering: Principles and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب کندوپاشی سوگیری پالس و پالس: اصول و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب کندوپاشی سوگیری پالس و پالس: اصول و کاربردها



پشته مانع انتشار - 5 نانومتر -3 نانومتر -2 نانومتر :. . . -. . . . : . . O. 21-lm شکل 2: شماتیک نمایانگر نمای مقطعی از توپوگرافی است که در پردازش مدارهای مجتمع با آن مواجه می شود. (نه به مقیاس) این ویژگی های اندازه زیر میکرون در شکل 2 نشان داده شده است. نقش مانع انتشار جلوگیری از انتشار یون های فلزی به دی الکتریک بین لایه ای (lLD) است. بسته به فناوری، به ویژه انتخاب ILD و اتصال فلزی، مانع انتشار ممکن است Ti، Ta، TiN، TaN یا ساختار چند لایه ای از این مواد باشد. چسبندگی مانع به دی الکتریک، مطابقت مانع با ویژگی، ساختار فیزیکی فیلم، و ترکیب شیمیایی فیلم مسائل کلیدی هستند که تا حدی توسط ماهیت فرآیند رسوب گذاری تعیین می شوند. به همین ترتیب، پس از رشد مانع، یک لایه رسانا (لایه بذر) برای پر کردن بعدی ترانشه توسط رسوب الکتروشیمیایی مورد نیاز است. مجدداً، فرآیند رشد باید بتواند فیلمی را در امتداد توپوگرافی ویژگی های اندازه زیر میکرون رسوب دهد. سایر عوامل نگران کننده خلوص و بافت لایه دانه هستند، زیرا هر دوی این عوامل بر مقاومت نهایی اتصال فلزی تأثیر می گذارد. پوشش‌های رسوب‌شده با پاشش نیز معمولاً برای خواص الکترواپتیکی خود استفاده می‌شوند. به عنوان مثال، یک لعاب الکتروکرومیک برای کنترل شار نوری که از طریق یک ماده لعاب‌دار منتقل می‌شود، استفاده می‌شود.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Diffusion Barrier Stack - 5 nm -3 nm -2 nm :. . . -. . . . : . . O. 21-lm Figure 2: Schematic representing a cross-sectional view of the topography that is encountered in the processing of integrated circuits. (Not to scale) these sub-micron sized features is depicted in Fig. 2. The role of the diffusion barrier is to prevent the diffusion of metallic ions into the interlayer dielectric (lLD). Depending on the technology, in particular the choice of the ILD and the metal interconnect, the diffusion barrier may be Ti, Ta, TiN, TaN, or a multi-layered structure of these materials. The adhesion of the barrier to the dielectric, the conformality of the barrier to the feature, the physical structure of the film, and the chemical composition of the film are key issues that are determined in part by the nature of the deposition process. Likewise, after the growth of the barrier, a conducting layer (the seed layer) is needed for subsequent filling of the trench by electrochemical deposition. Again, the growth process must be able to deposit a film that is continuous along the topography of the sub-micron sized features. Other factors of concern are the purity and the texture of the seed layer, as both of these factors influence the final resistivity of the metallic interconnect. Sputter-deposited coatings are also commonly employed for their electro-optical properties. For example, an electrochromic glazing is used to control the flux of light that is transmitted through a glazed material.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xi
Introduction....Pages 1-10
Basic Plasma Phenomenon....Pages 11-27
Plasma Sources used for Sputter Deposition....Pages 29-43
Response of a Plasma to an Applied Bias....Pages 45-63
Sinusoidal Waveform....Pages 65-73
Pulsed Waveform....Pages 75-107
Application of a Pulsed Waveform to a Target: Pulsed Reactive Sputtering....Pages 109-128
Applications of a Pulsed Waveform to a Substrate: Pulsed Bias Sputtering....Pages 129-144
Conclusion and Future Directions....Pages 145-147
Back Matter....Pages 149-157




نظرات کاربران