دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Kasper. Erich, Lyutovich. Klara(eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781591248774, 9780852967836 ناشر: Institution of Engineering and Technology سال نشر: 2000 تعداد صفحات: 215 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Properties of Silicon Germanium and SiGe: Carbon به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خواص سیلیکون ژنوم و سیگ: کربن نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
ارتباط صنعتی SiGe در چند سال گذشته با ساخت مدارهای دوقطبی ناهمگون برای بازارهای تجاری بی سیم و datacomms توسط IBM و TEMIC به طور چشمگیری افزایش یافته است، و بیش از 20 شرکت در حال برنامه ریزی برای ساخت در آینده نزدیک هستند. شرکتهای بزرگ فناوری پیشرفته، توسعه و استفاده از SiGe را بخش مهمی از استراتژی خود میدانند، به طوری که انگیزه قوی برای بهبود توصیف و بهرهبرداری از آن وجود دارد. این حجم به طور گسترده نشان داده شده و کاملاً نمایه شده است، به روشی همگن و ساختار یافته، تخصص حدود 40 نویسنده دعوت شده را برای بررسی جامع طیف وسیعی از ویژگیها و همچنین SiGe:C، نانوساختارهای خودآرایی، اثرات کوانتومی و روندهای دستگاه را تقلید میکند.
The industrial relevance of SiGe has increased dramatically in the last few years with the manufacture of heterojunction bipolar circuits for the commercial wireless and datacomms markets by IBM and TEMIC, with over 20 companies planning manufacture in the near future. Major high technology companies see the development and use of SiGe as an important part of their strategy, so that there is a strong impetus to improve its characterization and exploitation. This liberally illustrated and fully indexed volume distils in a homogeneous, structured way the expertise of some 40 invited authors to comprehensively review the whole range of properties as well as SiGe:C, self-assembled nanostructures, quantum effects and device trends.
Content:
Front Matter
Introduction
Table of Contents
Interactive Graphs Table (168) Interactive Phase Diagrams and Graphs Table (4) 1. Introduction
2. Structural Properties
3. Thermal, Mechanical and Lattice Vibrational Properties
4. Band Structure
5. Electrical and Optical Properties
6. Surface Properties
7. Some Device-Related Structures on Silicon Substrates: a Collection of the Most Important Data
Index