ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Properties of Indium Phosphide

دانلود کتاب خواص ایندیم فسفید

Properties of Indium Phosphide

مشخصات کتاب

Properties of Indium Phosphide

ویرایش:  
 
سری:  
ISBN (شابک) : 9781591248255, 9780852964910 
ناشر: Institution of Engineering and Technology 
سال نشر: 1991 
تعداد صفحات: 389 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 21 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 46,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Properties of Indium Phosphide به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب خواص ایندیم فسفید نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب خواص ایندیم فسفید

ایندیوم فسفید تنها پس از گالیم آرسنید به عنوان ماده کاندید برای دستگاه های بهبود یافته دوم است. این جلد، شامل حدود 130 بررسی داده توسط بیش از پنجاه نویسنده از سراسر جهان، شامل موارد زیر است: ویژگی های اساسی. ویژگی های InGA و InGaAsP انتخاب شده. عیوب و تشخیص آنها؛ سطوح؛ رابط ها اکسیداسیون؛ حکاکی؛ کاشت یون؛ و بهره برداری در دستگاه ها


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Indium Phosphide is second only to Gallium Arsenide as a candidate material for improved devices. This volume, containing some 130 data reviews by over fifty authors from around the world, includes coverage of: basic properties; selected InGAs and InGaAsP properties; defects and their detection; surfaces; interfaces; oxidation; etching; ion implantation; and exploitation in devices.



فهرست مطالب


Content:
 Front Matter 
• Introduction 
• Table of Contents 
 1. Basic Physical Properties 
 2. Resistivity 
 3. Carrier Concentrations and Ionization Rates 
 4. Electron Mobility, Diffusion and Lifetime 
 5. Hole Mobility, Diffusion and Lifetime 
 6. Band Structure 
 7. Optical Functions 
 8. IR Absorption and Impurity Energy Levels 
 9. Photoluminescence, Raman and Reflection Spectroscopy 
 10. Photoconductivity Spectra 
 11. Defects, Deep Levels and Their Detection 
 12. Diffusion of Impurities 
 13. Surface Structure and Oxidation 
 14. Interfaces 
 15. Etching 
 16. Ion Implantation 
 17. InGaAs and InGaAsP: Miscellaneous Properties 
 18. Exploitation of InP in Devices 
• Index




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی