دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Properties of Gallium Arsenide
دانلود کتاب خواص گالیم آرسنید
مشخصات کتاب
Properties of Gallium Arsenide
ویرایش: 3 Sub نویسندگان: M. R. Brozel, Gregory E. Stillman سری: EMIS Datareviews, No. 16 ISBN (شابک) : 085296885X, 9780852968857 ناشر: Inspec/Iee سال نشر: 1996 تعداد صفحات: 1003 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 60 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 50,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Properties of Gallium Arsenide به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خواص گالیم آرسنید نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب خواص گالیم آرسنید
در سال 1986 بود که INSPEC (بخش اطلاعات موسسه مهندسین برق) کتاب "خواص آرسنید گالیم" را منتشر کرد. از آن زمان، تحولات عمده ای رخ داده است. این ویرایش سوم شامل 150 مقاله سفارشی ویژه است که توسط کارشناسانی از ایالات متحده آمریکا، اروپا و ژاپن ارائه شده است. آرسنید گالیم در حال متحول کردن صنعت نیمه هادی است. این یک رقیب اصلی برای سیلیکون در فشار برای مدارهای سریعتر، فرکانس بالاتر و پهنای باند بیشتر است. GaAs تحرک الکترون بسیار بالاتری دارد، پایداری حرارتی بیشتری دارد و بسترهای IC (مدار مجتمع) با مقاومت بالاتری نسبت به سیلیکون ارائه می‌کند. علاوه بر این، در برخی مناطق که سیلیکون اهمیت کمی دارد، یک ماده کلیدی است. یعنی میدان رو به رشد ناهمسان ساختارها که امکان ترکیب مدارهای دیجیتال، مایکروویو، موج میلی متری و نوری را فراهم می کند. آرسنید گالیم همچنین به طور گسترده در LED ها (دیودهای ساطع کننده نور) و سلول های خورشیدی استفاده می شود
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
It was in 1986 that INSPEC (The Information Division of the Institution of Electrical Engineers) published the book "Properties of Gallium Arsenide". Since then, major developments have taken place. This third edition is comprised of 150 specially commissioned articles contributed by experts from the USA, Europe and Japan. Gallium arsenide is revolutionizing the semiconductor industry. It is a major competitor to silicon in the push for faster, higher frequency and greater bandwidth circuits. GaAs has a much higher electron mobility, has greater thermal stability and provides higher resistivity IC (integrated circuit) substrates than silicon. Moreover, it is a key material in some areas where silicon is of only minor significance; namely, the burgeoning field of heterostructures which permit combinations of digital, microwave, millimetre wave and optical circuits. Gallium arsenide is also widely used in LEDs (light emitting diodes) and solar cells
