دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Edgar. James H., Strite. Samual (Toby), Akasaki. Isamu, Amano. Hiroshi, Wetzel. Christian(eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781591248743, 9780852969533 ناشر: Institution of Engineering and Technology سال نشر: 1999 تعداد صفحات: 478 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 28 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خواص، پردازش و کاربردهای نیترید گالیم و نیمه هادی های مرتبط نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
از اوایل دهه 1990 زمانی که ال ای دی های آبی و ماوراء بنفش و دیودهای لیزری با کارایی بالا برای اولین بار نشان داده شدند، بازار جهانی چنین دستگاه هایی به سرعت گسترش یافته است. GaN بر اساس ویژگیهای برجستهاش، از جمله شکاف باند انرژی گسترده، رسانایی حرارتی بالا، و سرعت رانش الکترون بالا، بهطور منحصربهفردی برای بسیاری از دستگاههای جدید از جمله آشکارسازهای نور UV کور خورشیدی، ترانزیستورهای مایکروویو با قدرت بالا و ساطعکنندههای الکترون کاتد سرد مناسب است. دامنه گسترده برنامه ها 80% p.a ایجاد می کند. رشد در تحقیق و توسعه این کتاب خواص فیزیکی و شیمیایی اولیه را پوشش میدهد، فناوری پردازش موجود را بررسی میکند، و خلاصهای از وضعیت فعلی دستگاهها را ارائه میدهد. این کتاب یک مرجع عالی برای بررسی های معتبر از تمام جنبه های مربوط به دستگاه های فعلی و برای توسعه دستگاه های جدید است.
Since the early 1990s when highly efficient gallium nitride blue and ultraviolet LEDs and laser diodes were first demonstrated, the world market for such devices has rapidly expanded. Based on its outstanding properties, including a wide energy band gap, high thermal conductivity, and high electron drift velocity, GaN is uniquely suited for many novel devices including solar-blind UV light detectors, high power microwave transistors, and cold cathode electron emitters. The widening range of applications is generating an 80% p.a. growth in R&D. This book covers the basic physical and chemical properties, surveys existing processing technology, and presents summaries of the current state-of-the-art of devices. This book is an excellent reference for authoritative reviews of all aspects relevant to current devices, and for developing new devices.
Content:
Front Matter
Introduction
Table of Contents
Interactive Graphs Table (224) Part A. Physical, Electrical and Optical Properties
A1. Structural, Mechanical and Thermal Properties of Group III Nitrides
A2. AlN: Electrical, Electronic and Optical Properties
A3. GaN: Electrical, Electronic and Optical Properties
A4. InN: Electrical, Electronic and Optical Properties
A5. AlGaN: Electrical, Electronic and Optical Properties
A6. Band Structure of Group III Nitrides
A7. Crystal Defects in GaN and Related Compounds
A8. Impurities and Native Defects in GaN and Related Compounds
A9. Chemical and Compositional Analysis of GaN and Related Materials
Part B. Materials Synthesis and Processing
B1. Bulk Crystal Growth of GaN and Related Compounds
B2. Epitaxial Growth of GaN and Related Compounds
B3. Ion Implantation of GaN and Related Compounds
B4. Etching of GaN and Related Compounds
Part C. Specifications, Characterisation and Applications of GaN Based Devices
C1. Material Interfaces with GaN and Related Compounds
C2. Strained GaInN and Quantum Wells
C3. GaN-Based Light Emitting Diodes
C4. GaN-Based Transistors
C5. GaN-Based Lasers and Other Devices
Index