ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Principles of Lithography, Second Edition

دانلود کتاب اصول چاپ سنگی، چاپ دوم

Principles of Lithography, Second Edition

مشخصات کتاب

Principles of Lithography, Second Edition

ویرایش: 2nd ed 
نویسندگان:   
سری: SPIE monograph PM146 
ISBN (شابک) : 0819456608, 9780819456601 
ناشر: SPIE Publications 
سال نشر: 2005 
تعداد صفحات: 435 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 10 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 46,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب اصول چاپ سنگی، چاپ دوم: مدارهای مجتمع -- طراحی و ساخت میکرولیتوگرافی. لیتوگرافی <تکنولوژی نیمه هادی> لیتوگرافی (فناوری نیمه هادی)



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Principles of Lithography, Second Edition به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اصول چاپ سنگی، چاپ دوم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اصول چاپ سنگی، چاپ دوم

لیتوگرافی زمینه ای است که پیشرفت ها در آن با سرعتی سریع پیش می رود. این کتاب برای پاسخگویی به چندین نیاز نوشته شده است، و تجدید نظرها برای ویرایش دوم با در نظر گرفتن آن اهداف اولیه انجام شده است. در این متن به تناسب پیشرفت هایی که در چند سال گذشته صورت گرفته است، بسیاری از موضوعات جدید گنجانده شده است و چندین موضوع با جزئیات بیشتری مورد بحث قرار گرفته است. این کتاب به عنوان مقدمه ای بر علم میکرولیتوگرافی برای افرادی که با این موضوع آشنایی ندارند، در نظر گرفته شده است. موضوعاتی که مستقیماً با ابزارهای مورد استفاده برای ساخت مدارهای مجتمع مرتبط هستند، به طور عمیق مورد بررسی قرار می گیرند، از جمله موضوعاتی مانند پوشش، مراحل نوردهی، ابزارها و منابع نور. این متن همچنین حاوی منابع متعددی برای دانش‌آموزانی است که می‌خواهند موضوعات خاصی را با جزئیات بیشتر بررسی کنند و همچنین فهرستی از منابع را بر اساس موضوع در اختیار لیتوگراف مجرب قرار می‌دهند. انتظار می رود که خواننده این کتاب پایه ای در فیزیک و شیمی پایه داشته باشد. هیچ موضوعی به دانش ریاضی فراتر از محاسبات ابتدایی نیاز ندارد.

مطالب

- پیشگفتار

- مروری بر لیتوگرافی

- تشکیل الگوی نوری

- مقاومت نوری

- مدل‌سازی و جلوه‌های لایه نازک

- استپرهای ویفر

- پوشش صفحات رنگی

- ماسک‌ها و مشبک‌ها

- غلبه بر حد پراش

- مترولوژی

- محدودیت‌های لیتوگرافی نوری

- هزینه های لیتوگرافی

- تکنیک های جایگزین لیتوگرافی

- پیوست A: انسجام

- فهرست


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Lithography is a field in which advances proceed at a swift pace. This book was written to address several needs, and the revisions for the second edition were made with those original objectives in mind. Many new topics have been included in this text commensurate with the progress that has taken place during the past few years, and several subjects are discussed in more detail. This book is intended to serve as an introduction to the science of microlithography for people who are unfamiliar with the subject. Topics directly related to the tools used to manufacture integrated circuits are addressed in depth, including such topics as overlay, the stages of exposure, tools, and light sources. This text also contains numerous references for students who want to investigate particular topics in more detail, and they provide the experienced lithographer with lists of references by topic as well. It is expected that the reader of this book will have a foundation in basic physics and chemistry. No topics will require knowledge of mathematics beyond elementary calculus.

Contents

- Preface

- Overview of lithography

- Optical pattern formation

- Photoresists

- Modeling and thin film effects

- Wafer steppers

- Color Plates overlay

- Masks and reticules

- Overcoming the diffraction limit

- Metrology

- The limits of optical lithography

- Lithography costs

- Alternative lithography techniques

- Appendix A: Coherence

- Index



فهرست مطالب

Content: Preface --
1. Overview of lithography --
Problems. 2. Optical pattern formation --
2.1 The problem of imaging --
2.2 Aerial images --
2.3 The contribution of physics and chemistry --
2.4 Focus --
Problems --
References. 3. Photoresists --
3.1 Positive and negative resists --
3.2 Adhesion promotion --
3.3 Resist spin coating, softbake, and hardbake --
3.4 Photochemistry of novolak: DNQ g- and i-line resists --
3.5 Acid-catalyzed DUV resists --
3.6 Development and post-exposure bakes --
3.7 Operational characterization --
3.8 Line edge roughness --
3.9 Multilayer resist processes --
Problems --
References. 4. Modeling and thin film effects --
4.1 Models of optical imaging --
4.2 Aberrations --
4.3 Modeling photochemical reactions --
4.4 Thin film optical effects --
4.5 Post-exposure bakes --
4.6 Methods for addressing the problems --
of reflective substrates --
4.7 Development --
Problems --
References. 5. Wafer steppers --
5.1 Overview --
5.2 Light sources --
5.3 Illumination systems --
5.4 Reduction lenses --
5.5 Autofocus systems --
5.6 The wafer stage --
5.7 Scanning --
5.8 Dual-stage exposure tools --
Problems --
References. 6. Overlay --
6.1 Alignment systems --
6.1.1 Classification of alignment systems --
6.1.2 Optical methods for alignment and --
wafer-to-reticle referencing --
6.1.3 Number of alignment marks --
6.2 Overlay models --
6.3 Matching --
6.4 Process-dependent overlay effects --
Problems --
References. 7. Masks and reticles --
7.1 Overview --
7.2 Mask blanks --
7.3 Mechanical optical-pattern generators --
7.4 Electron beam lithography and mask writers --
7.5 Optical mask writers --
7.6 Resists for mask making --
7.7 Etching --
7.8 Pellicles --
Problems --
References. 8. Confronting the diffraction limit --
8.1 Off-axis illumination --
8.2 Optical proximity effects --
8.3 The mask error factor --
8.4 Phase-shifting masks --
Problems --
References. 9. Metrology --
9.1 Linewidth measurement --
9.1.1 Linewidth measurement using --
scanning electron microscope --
9.1.2 Scatterometry --
9.1.3 Electrical linewidth measurement --
9.2 Measurement of overlay --
References. 10. The limits of optical lithography --
10.1 The diffraction limit --
10.2 Improvements in optics --
10.3 The shortest wavelength --
10.4 Improved photoresists --
10.5 Flatter wafers --
10.6 How low can k1 go? --
10.7 Immersion lithography and maximum numerical aperture --
10.8 How far can optical lithography be extended? --
10.9 Resist limits --
10.10 Interferometric lithography --
Problems --
References. 11. Lithography costs --
11.1 Cost of ownership --
11.1.1 Capital costs --
11.1.2 Consumables --
11.1.3 Mask costs --
11.1.4 Rework --
11.1.5 Metrology --
11.1.6 Maintenance costs --
11.1.7 Labor costs --
11.1.8 Facilities costs --
11.2 Mix and match strategies --
Problems --
References. 12. Alternative lithography techniques --
12.1 Proximity x-ray lithography --
12.2 Extreme ultraviolet lithography --
EUV --
12.3 Electron-beam direct-write lithography --
12.4 Electron-projection lithography --
EPL --
12.4.1 Small-field EPL systems --
12.4.2 Large-field EPL systems --
12.5 Ion-projection lithography --
IPL --
12.6 Imprint lithography --
12.7 The ultimate future of lithography --
Problems --
References. --
Appendix A. Coherence --
Problems --
References --
Index.




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی