دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Power Microelectronics. Device and Process Technologies
دانلود کتاب میکروالکترونیک قدرت. فن آوری های دستگاه و فرآیند
مشخصات کتاب
Power Microelectronics. Device and Process Technologies
ویرایش: 2nd نویسندگان: Yung C. Liang, Ganesh S Samudra, Chih-Fang Huang سری: ناشر: World Scientific سال نشر: 2017 تعداد صفحات: 608 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 19 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 32,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Power Microelectronics. Device and Process Technologies به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب میکروالکترونیک قدرت. فن آوری های دستگاه و فرآیند نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب میکروالکترونیک قدرت. فن آوری های دستگاه و فرآیند
این کتاب درسی توصیفی نگاهی روشن به نظریه‌ها و فناوری‌های فرآیندی لازم برای درک دستگاه‌های نیمه‌رسانای قدرت مدرن ارائه می‌کند، یعنی از مبانی الکترواستاتیک اتصال p-n، ساختارهای ماسفت تک قطبی و ابرجنس، IGBT دوقطبی، تا جدیدترین دستگاه‌های SiC و GaN با شکاف باند گسترده. . همچنین فناوری های مربوط به فرآیند نیمه هادی آنها را پوشش می دهد. مثال‌های واقعی مبتنی بر دستگاه‌های ساخته‌شده واقعی، با مراحل فرآیند که با جزئیات واضح توضیح داده شده‌اند، بسیار مفید هستند. این کتاب برای دروس دانشگاهی در زمینه نیمه هادی های قدرت یا دستگاه های الکترونیک قدرت مناسب است. طراحان و محققان دستگاه نیز این کتاب را مرجع خوبی در کار خود می‌دانند، به‌ویژه برای کسانی که بر جنبه‌های توسعه و طراحی دستگاه‌های پیشرفته تمرکز دارند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This descriptive textbook provides a clear look at the theories and process technologies necessary for understanding the modern power semiconductor devices, i.e. from the fundamentals of p-n junction electrostatics, unipolar MOSFET and superjunction structures, bipolar IGBT, to the most recent wide bandgap SiC and GaN devices. It also covers their associated semiconductor process technologies. Real examples based on actual fabricated devices, with the process steps described in clear detail are especially useful. This book is suitable for university courses on power semiconductor or power electronic devices. Device designers and researchers will also find this book a good reference in their work, especially for those focusing on the advanced device development and design aspects.
