دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: L. M. Peter (auth.), Jean-Claude Vial, Jacques Derrien (eds.) سری: Centre de Physique des Houches 1 ISBN (شابک) : 9783540589365, 9783662031209 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 1995 تعداد صفحات: 362 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب علم و فناوری Porous Silicon: Winter School Les Houches ، 8 تا 12 فوریه 1994: اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاه های نوری، کریستالوگرافی، مهندسی، عمومی، مهندسی ارتباطات، شبکه ها
در صورت تبدیل فایل کتاب Porous Silicon Science and Technology: Winter School Les Houches, 8 to 12 February 1994 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب علم و فناوری Porous Silicon: Winter School Les Houches ، 8 تا 12 فوریه 1994 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
کشف تابش نور مرئی روشن از سیلیکون متخلخل، دری را به روی ساختارهای سیلیکونی با اندازه نانومتری باز کرده است که در آن محصور شدن حاملها باعث ایجاد خواص فیزیکی جالبی میشود. در حالی که راندمان بالای انتشار نور در محدوده مرئی رایج ترین و برجسته ترین ویژگی است، ساختار آنها خواص مشابهی را با سایر مواد بسیار تقسیم شده (حتی نیمه هادی ها) نشان می دهد و سپس یک رویکرد چند رشته ای را توجیه می کند. این امر همراه با کاربردهای بالقوه، تعداد زیادی از محققین را به دنبال آن دانشجویان برای آموزش جذب کرده است. تاکنون کنفرانسهای بینالمللی تبادل اطلاعات را فراهم کردهاند، اما بسیار تخصصی باقی ماندهاند، بنابراین زمان آن رسیده است که به سازماندهی سخنرانیهای موضوعی و پیشرفته که در آن چند رشتهای و رویکرد آموزشی در اولویت هستند، فکر کنیم. L'ecole des Houches به طور ایده آل به این هدف اختصاص داشت. نشست: "درخشندگی سیلیکون متخلخل و نانوساختارهای سیلیکونی" اولین مدرسه بینالمللی در این زمینه بود، اما برخی جنبهها در سازمان و حضور در آن، طعم کارگاه بینالمللی را به آن بخشیده است. این مدرسه به خودی خود 82 «دانشجو» را تربیت کرده است که اکثر آنها دانشجویانی بودند که پایان نامه دکتری خود را شروع کردند. 50٪ شهروند فرانسه بودند و سایر کشورهای نماینده آلمان، انگلیس، ایالات متحده آمریکا، چکسلواکی، هلند، ایتالیا، ژاپن، لهستان، اسپانیا، کانادا، برزیل، هند و روسیه بودند.
The discovery of bright visible light emission from porous silicon has opened the door to various nanometer sized silicon structures where the confinement of carriers gives rise to interesting physical properties. While the high efficiency of the light emission in the visible range is the common and the most prominent feature, their structures display similar properties with other highly divided materials (even non semiconductors), and then justify a multidisciplinary approach. This along with potential applications has attracted a large number of researchers followed by students to be trained. Until now international conferences have provided the exchange of information but have remained highly specialised so it was time to give thought to the organisation of topical and advanced lectures where the multidisciplinarity and the didactic approach are paramount. L'ecole des Houches was ideally devoted to that purpose. The meeting : " Luminescence of porous silicon and silicon nanostructures" was the first international school on this topic but some aspects in the organisation and the attendance have given an international workshop flavor to it. The school by itself has trained 82 «students», most of them were students starting their Ph. D thesis. 50% were French citizens and the other represented countries were Germany, England, USA, Czechoslovakia, The Netherlands, Italy, Japan, Poland, Spain, Canada, Brazil, India and Russia.
Front Matter....Pages I-XVII
Fundamental aspects of the semiconductor-solution interface....Pages 1-15
The silicon/electrolyte interface....Pages 17-32
Porous silicon: material processing, properties and applications....Pages 33-52
Luminescence of porous silicon after electrochemical oxidation....Pages 53-66
Mechanism for light emission from nanoscale silicon....Pages 67-90
Theory of silicon crystallites. Part II....Pages 91-110
Doping of a quantum dot and self-limiting effect in electrochemical etching....Pages 111-119
Electronic and optical properties of semiconductors quantum wells....Pages 121-136
What can be learned from time resolved measurements on porous silicon luminescence....Pages 137-155
Ion beam analysis of thin films. Applications to porous silicon....Pages 157-187
IR spectroscopy of porous silicon....Pages 189-205
Nano characterization of porous silicon by transmission electron microscopy....Pages 207-223
Electron paramagnetic resonance spectroscopy: Defect and structural analysis of solids....Pages 225-246
Raman scattering in silicon nanostructures....Pages 247-253
Scattering of X-rays....Pages 255-275
X-ray photoemission spectroscopy....Pages 277-292
Optoelectronic properties of porous silicon — The electroluminescent devices....Pages 293-305
Porous silicon luminescence under cathodic polarisation conditions....Pages 307-322
Interrelation between electrical properties and visible luminescence of porous silicon....Pages 323-328
Characteristics of porous n-type silicon obtained by photoelectrochemical etching....Pages 329-344
Porous Si: From single porous layers to porosity superlattices....Pages 345-355