Polycrystalline Silicon for Integrated Circuits and Displays

سیلیکون پلی کریستالی برای مدارها و نمایشگرهای مجتمع، نسخه دوم بسیاری از دانش موجود در مورد پلی سیلیکون را ارائه می دهد. این نشان دهنده تلاشی برای ارتباط متقابل رسوب، خواص و کاربردهای پلی سیلیکون است. با درک درست خواص سیلیکون پلی کریستالی و ارتباط آنها با شرایط رسوب، پلی سیلیکون را می توان برای اطمینان از عملکرد بهینه دستگاه و مدار مجتمع طراحی کرد.
سیلیکون پلی کریستالی برای دو دهه نقش مهمی در فناوری مدار مجتمع ایفا کرده است. برای اولین بار در آی سی های خود تراز، دروازه سیلیکونی، MOS برای کاهش ظرفیت و بهبود سرعت مدار استفاده شد. علاوه بر این استفاده غالب، پلی سیلیکون در حال حاضر تقریباً در تمام آی سی های دوقطبی مدرن نیز گنجانده شده است، جایی که فیزیک اساسی عملکرد دستگاه را بهبود می بخشد. سازگاری سیلیکون پلی کریستالی با پردازش های بعدی در دمای بالا امکان ادغام کارآمد آن را در فرآیندهای پیشرفته IC فراهم می کند. این سازگاری همچنین اجازه می دهد تا پلی سیلیکون در مراحل اولیه ساخت برای جداسازی ترانشه و خازن های ذخیره سازی با دسترسی تصادفی پویا (DRAM) مورد استفاده قرار گیرد.
علاوه بر کاربردهای مدار مجتمع، پلی سیلیکون به عنوان لایه فعال در کانال ترانزیستورهای لایه نازک به جای سیلیکون آمورف حیاتی می شود. هنگامی که از ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلیکونی در نمایشگرهای پیشرفته ماتریس فعال استفاده می شود، مدارهای محیطی را می توان در بستری مشابه ترانزیستورهای پیکسلی ادغام کرد. اخیراً پلی سیلیکون در زمینه نوظهور سیستم‌های میکروالکترومکانیکی (MEMS) به‌ویژه برای ریزحسگرها و میکرو محرک‌ها استفاده شده است. در این دستگاه ها، خواص مکانیکی، به ویژه تنش در لایه پلی سیلیکونی، برای ساخت موفق دستگاه حیاتی است.
سیلیکون پلی کریستالی برای مدارهای مجتمع و نمایشگرها، نسخه دوم مرجع ارزشمندی برای متخصصان و تکنسین هایی است که با سیلیکون پلی کریستالی در صنایع مدارهای مجتمع و نمایشگر کار می کنند. p>

Polycrystalline Silicon for Integrated Circuits and Displays, SecondEdition presents much of the available knowledge about polysilicon. It represents an effort to interrelate the deposition, properties, and applications of polysilicon. By properly understanding the properties of polycrystalline silicon and their relation to the deposition conditions, polysilicon can be designed to ensure optimum device and integrated-circuit performance.
Polycrystalline silicon has played an important role in integrated-circuit technology for two decades. It was first used in self-aligned, silicon-gate, MOS ICs to reduce capacitance and improve circuit speed. In addition to this dominant use, polysilicon is now also included in virtually all modern bipolar ICs, where it improves the basic physics of device operation. The compatibility of polycrystalline silicon with subsequent high-temperature processing allows its efficient integration into advanced IC processes. This compatibility also permits polysilicon to be used early in the fabrication process for trench isolation and dynamic random-access-memory (DRAM) storage capacitors.
In addition to its integrated-circuit applications, polysilicon is becoming vital as the active layer in the channel of thin-film transistors in place of amorphous silicon. When polysilicon thin-film transistors are used in advanced active-matrix displays, the peripheral circuitry can be integrated into the same substrate as the pixel transistors. Recently, polysilicon has been used in the emerging field of microelectromechanical systems (MEMS), especially for microsensors and microactuators. In these devices, the mechanical properties, especially the stress in the polysilicon film, are critical to successful device fabrication.
Polycrystalline Silicon for Integrated Circuits and Displays, SecondEdition is an invaluable reference for professionals and technicians working with polycrystalline silicon in the integrated circuit and display industries.