Point and Extended Defects in Semiconductors

مطالعه سیستماتیک نقص در نیمه هادی ها در اوایل دهه پنجاه آغاز شد. FrQm آن زمان در مورد بسیاری از سؤالات در مورد ساختار و ویژگی های نقص پاسخ داده شده است، اما بسیاری دیگر هنوز موضوع بررسی و بحث هستند. علاوه بر این، در طی این سال‌ها مشکلات جدیدی در ارتباط با شناسایی و مشخصه‌سازی عیوب، نقش آن‌ها در تعیین ویژگی‌های انتقال و نوری مواد و دستگاه‌های نیمه‌رسانا و همچنین فناوری روز در افزایش مقیاس یکپارچه‌سازی پدید آمد. این کتاب دیدگاهی را در مورد مفاهیم اساسی فیزیک نقص و پیشرفت های اخیر تکنیک های تجربی با وضوح بالا به خواننده ارائه می دهد. هدف این کتاب ارائه جامع فیزیک نقص مدرن نیست. بلکه تعدادی از موضوعات را جمع آوری می کند که نشان دهنده تحقیقات کنونی در این زمینه است. این جلد، مشارکت‌های کارگاه تحقیقاتی پیشرفته «نقص، امتداد و سطحی در نیمه‌هادی‌ها» را که از ۲ تا ۷ نوامبر ۱۹۸۸ در مرکز Ettore Majo rana در Erice (ایتالیا) در چارچوب مدرسه بین‌المللی مواد برگزار شد، جمع‌آوری می‌کند. علم و تکنولوژی. این کارگاه دانشمندانی از سیزده کشور را گرد هم آورده است. اکثر شرکت‌کنندگان در حال حاضر روی مشکلات نقص در فناوری زیر میکرون سیلیکون یا در چاه‌های کوانتومی و ابرشبکه‌ها کار می‌کنند، جایی که عیوب نقطه‌ای، نابجایی، رابط‌ها و سطوح به‌خوبی در کنار هم قرار دارند.

The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. FrQm that time on many questions about the defect structure and properties have been an­ swered, but many others are still a matter of investigation and discussion. Moreover, during these years new problems arose in connection with the identification and char­ acterization of defects, their role in determining transport and optical properties of semiconductor materials and devices, as well as from the technology of the ever in­ creasing scale of integration. This book presents to the reader a view into both basic concepts of defect physics and recent developments of high resolution experimental techniques. The book does not aim at an exhaustive presentation of modern defect physics; rather it gathers a number of topics which represent the present-time research in this field. The volume collects the contributions to the Advanced Research Workshop "Point, Extended and Surface Defects in Semiconductors" held at the Ettore Majo­ rana Centre at Erice (Italy) from 2 to 7 November 1988, in the framework of the International School of Materials Science and Technology. The workshop has brought together scientists from thirteen countries. Most participants are currently working on defect problems in either silicon submicron technology or in quantum wells and superlattices, where point defects, dislocations, interfaces and surfaces are closely packed together.