دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Plasma Sources for Thin Film Deposition and Etching
دانلود کتاب منابع پلاسما برای رسوب و اچ فیلم نازک
مشخصات کتاب
Plasma Sources for Thin Film Deposition and Etching
ویرایش:
نویسندگان: Maurice H. Francombe and John L. Vossen (Eds.)
سری: Physics of Thin Films 18
ISBN (شابک) : 9780080925134, 0125330189
ناشر:
سال نشر: 1994
تعداد صفحات: 331
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 4 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 53,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Plasma Sources for Thin Film Deposition and Etching به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب منابع پلاسما برای رسوب و اچ فیلم نازک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب منابع پلاسما برای رسوب و اچ فیلم نازک
این آخرین جلد از سری معروف فیزیک لایه‌های نازک شامل چهار فصل است که منابع پلاسمای با چگالی بالا برای پردازش مواد، تشدید سیکلوترون الکترون و کاربردهای آن، کندوپاش مغناطیسی نامتعادل، و تشکیل ذرات در پلاسمای پردازش لایه نازک را مورد بحث قرار می‌دهد. فصل اول یک چارچوب یکپارچه ایجاد می کند که از آن می توان همه منابع "با کارایی بالا" را مشاهده و مقایسه کرد. عناصر کلیدی طراحی منبع موثر بر نتایج پردازش را تشریح می کند. و مناطقی را که به تحقیق و توسعه بیشتری نیاز است برجسته می‌کند. فصل دوم انواع اصلی منابع پلاسمایی رزونانس سیکلوترون الکترونی (ECR) مناسب برای ECR PACVD لایه‌های نازک، عمدتاً منابع ECR با استفاده از سیم‌پیچ‌های مغناطیسی را بررسی و تحلیل می‌کند. فصل سوم مزایا و محدودیت‌های تکنیک جدید، کندوپاش مگنترون نامتعادل (UBM)، همراه با انگیزه توسعه، اصول اولیه عملیات و کاربردهای تجاری آن، و برخی گمانه زنی ها در مورد آینده فناوری UBM، فصل چهارم، پدیده های کلی مشاهده شده در ارتباط با تشکیل ذرات در نازک را تشریح می کند. پلاسماهای پردازش فیلم؛ ذرات را در پلاسمای PECVD، پلاسماهای کندوپاش، و پلاسمای RIE مورد بحث قرار می دهد. مروری بر مدل‌سازی نظری جنبه‌های مختلف ذرات در پردازش پلاسما ارائه می‌کند. مسائل طراحی تجهیزات موثر بر تشکیل ذرات را بررسی می کند. و با نکاتی در مورد پیامدهای این کار برای کنترل آلودگی ذرات ناشی از فرآیند به پایان می‌رسد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This latest volume of the well-known Physics of Thin Films Series includes four chapters that discuss high-density plasma sources for materials processing, electron cyclotron resonance and its uses, unbalancedmagnetron sputtering, and particle formation in thin film processing plasma. Chapter One develops a unified framework from which all "high-efficiency" sources may be viewed and compared; outlines key elements of source design affecting processing results; and highlights areas where additional research and development are needed Chapter Two reviews and analyzes the main types of electron cyclotron resonance (ECR) plasma sources suitable for ECR PACVD of thin films, mainly ECR sources using magnet coils Chapter Three examines the benefits and limitations of the new technique, unbalanced magnetron sputtering (UBM), along with the motivation for its development, the basic principles of its operation and commercial applications, and some speculations regarding the future of UBM technology Chapter Four describes general phenomena observed in connection with particle formation in thin film processing plasmas; discusses particles in PECVD plasmas, sputtering plasmas, and RIE plasmas; presents an overview of the theoretical modeling of various aspects of particles in processing plasmas; examines issues of equipment design affecting particle formation; and concludes with remarks about the implications of this work for the control of process-induced particle contamination
فهرست مطالب
Content:
Contributors to This Volume
Page ii
Front Matter
Page iii
Copyright page
Page iv
Contributors
Page ix
Preface
Pages xi-xii
M.H. Francombe, J.L. Vossen
Design of High-Density Plasma Sources for Materials Processing
Pages 1-119
MICHAEL A. LIEBERMAN, RICHARD A. GOTTSCHO
Electron Cyclotron Resonance Plasma Sources and Their Use in Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition of Thin Films
Pages 121-233
OLEG A. POPOV
Unbalanced Magnetron Sputtering
Pages 235-288
SUZANNE L. ROHDE
The Formation of Particles in Thin-Film Processing Plasmas
Pages 289-318
CHRISTOPH STEINBRГњCHEL
Author Index
Pages 319-321
Subject Index
Pages 323-328
