ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Plasma Immersion Ion Implantation - a fledgling techique for semiconductor processing

دانلود کتاب Implantation یون پلاسما - یک روش جدید برای پردازش نیمه هادی است

Plasma Immersion Ion Implantation - a fledgling techique for semiconductor processing

مشخصات کتاب

Plasma Immersion Ion Implantation - a fledgling techique for semiconductor processing

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش:  
نویسندگان: , , ,   
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 74 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 41,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب Implantation یون پلاسما - یک روش جدید برای پردازش نیمه هادی است: فیزیک، فیزیک حالت جامد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Plasma Immersion Ion Implantation - a fledgling techique for semiconductor processing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب Implantation یون پلاسما - یک روش جدید برای پردازش نیمه هادی است نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب Implantation یون پلاسما - یک روش جدید برای پردازش نیمه هادی است

مقاله. علم و مهندسی مواد، R 17 (1996) 207-
280.

توضیح: کاشت یون غوطه ور پلاسما تک انرژی (PIII) در سیلیکون تنها در شرایط پلاسمای بدون برخورد قابل دستیابی است. به منظور کاهش بار جریان بر منبع تغذیه ولتاژ بالا و گرمایش مدولاتور و نمونه ناشی از یون های کاشته شده، فشار پلاسما باید پایین نگه داشته شود (1 mtorr). بنابراین، PIII فشار پایین، روش ارجح برای پردازش سیلیکون PIII مانند تشکیل سیلیکون روی عایق است. با استفاده از مدل خود، ویژگی‌های فشار پایین PIII را شبیه‌سازی می‌کنیم و پنجره‌های فرآیند مناسب PIII هیدروژن را برای فرآیند برش یونی شناسایی می‌کنیم. آزمایش‌هایی برای بررسی جزئیات در سه مورد از مهم‌ترین پارامترها در PIII فشار پایین انجام می‌شود: عرض پالس، ولتاژ و فشار گاز. ما همچنین مورد یک پالس بی نهایت طولانی را مطالعه می کنیم، یعنی dc PIII


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Article. Material Science and engineering, R 17 (1996) 207-
280.

Annotation: Mono-energetic plasma immersion ion implantation (PIII) into silicon can be attained only under collisionless plasma conditions. In order to reduce the current load on the high voltage power supply and modulator and sample heating caused by implanted ions, the plasma pressure must be kept low ( 1 mtorr). Low pressure PIII is therefore the preferred technique for silicon PIII processing such as the formation of silicon on insulator. Using our model, we simulate the characteristics of low pressure PIII and identify the proper process windows of hydrogen PIII for the ion-cut process. Experiments are conducted to investigate details in three of the most important parameters in low pressure PIII: pulse width, voltage, and gas pressure. We also study the case of an infinitely long pulse, that is, dc PIII





نظرات کاربران