دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: نویسندگان: Chu P.K., Chen J.Y., Wang L.P., Huang N. سری: ناشر: سال نشر: تعداد صفحات: 74 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 5 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب Implantation یون پلاسما - یک روش جدید برای پردازش نیمه هادی است: فیزیک، فیزیک حالت جامد
در صورت تبدیل فایل کتاب Plasma Immersion Ion Implantation - a fledgling techique for semiconductor processing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Implantation یون پلاسما - یک روش جدید برای پردازش نیمه هادی است نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
مقاله. علم و مهندسی مواد، R 17 (1996) 207-
280.
توضیح: کاشت یون غوطه ور پلاسما تک انرژی (PIII) در سیلیکون تنها
در شرایط پلاسمای بدون برخورد قابل دستیابی است. به منظور کاهش
بار جریان بر منبع تغذیه ولتاژ بالا و گرمایش مدولاتور و نمونه
ناشی از یون های کاشته شده، فشار پلاسما باید پایین نگه داشته شود
(1 mtorr). بنابراین، PIII فشار پایین، روش ارجح برای پردازش
سیلیکون PIII مانند تشکیل سیلیکون روی عایق است. با استفاده از
مدل خود، ویژگیهای فشار پایین PIII را شبیهسازی میکنیم و
پنجرههای فرآیند مناسب PIII هیدروژن را برای فرآیند برش یونی
شناسایی میکنیم. آزمایشهایی برای بررسی جزئیات در سه مورد از
مهمترین پارامترها در PIII فشار پایین انجام میشود: عرض پالس،
ولتاژ و فشار گاز. ما همچنین مورد یک پالس بی نهایت طولانی را
مطالعه می کنیم، یعنی dc PIII
Article. Material Science and engineering, R 17 (1996)
207-
280.
Annotation: Mono-energetic plasma immersion ion implantation
(PIII) into silicon can be attained only under collisionless
plasma conditions. In order to reduce the current load on the
high voltage power supply and modulator and sample heating
caused by implanted ions, the plasma pressure must be kept low
( 1 mtorr). Low pressure PIII is therefore the preferred
technique for silicon PIII processing such as the formation of
silicon on insulator. Using our model, we simulate the
characteristics of low pressure PIII and identify the proper
process windows of hydrogen PIII for the ion-cut process.
Experiments are conducted to investigate details in three of
the most important parameters in low pressure PIII: pulse
width, voltage, and gas pressure. We also study the case of an
infinitely long pulse, that is, dc PIII