دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Juras Požela (auth.)
سری: Microdevices
ISBN (شابک) : 9781489912442, 9781489912428
ناشر: Springer US
سال نشر: 1993
تعداد صفحات: 351
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 14 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک ترانزیستورهای پرسرعت: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، فیزیک ماده متراکم، کریستالوگرافی، مهندسی برق، مواد نوری و الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Physics of High-Speed Transistors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک ترانزیستورهای پرسرعت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب اصول فیزیکی پشت کار ترانزیستورهای پرسرعت را که در فرکانسهای بالای 10 گیگاهرتز کار میکنند و زمان سوئیچینگ کمتر از 100psec دارند، بررسی میکند. اگر دهه 1970 را نمی توان برای فرصت های ایجاد و استفاده گسترده ترانزیستورهایی که با چنین سرعت های بالایی کار می کنند به یاد آورد، به دلیل پیشرفت سریع در فناوری زیر میکرومتر برای ساخت ترانزیستورها و مدارهای مجتمع از GaAs و سایر مواد نیمه هادی و سایر مواد نیمه هادی، وضعیت به شدت تغییر کرده است. هجوم قدرتمند مفاهیم فیزیکی جدید نه تنها ترانزیستورهایی با سرعت سوئیچینگ 50-100psec که در ناحیه 10-20 گیگاهرتز کار می کنند در سال های اخیر ایجاد شده اند، بلکه امکان ساخت ترانزیستورهایی با سرعت یک تا دو مرتبه بزرگتر نیز آشکار شده است. با ایجاد ترانزیستورهای پرسرعت، بسیاری از مهمترین حوزههای فناوری مانند ارتباطات، فناوری محاسبات، تلویزیون، رادار و ساخت تجهیزات علمی، صنعتی و پزشکی از نظر کیفی تغییر کردهاند. ترانزیستورهای مایکروویو که در طول موج های میلی متری کار می کنند، امکان تولید تجهیزات فشرده و بسیار کارآمد برای ارتباطات و فناوری رادار را فراهم می کنند. ترانزیستورهای با سرعت سوئیچینگ بهتر از 100-100psec این امکان را فراهم می کنند که سرعت ریزپردازنده ها و سایر اجزای کامپیوتر را به ده ها میلیارد عملیات در ثانیه افزایش دهند و در نتیجه یکی از مهم ترین مشکلات الکترونیک مدرن - افزایش سرعت اطلاعات دیجیتال را حل کنند. پردازش.
This book examines the physical principles behind the operation of high-speed transistors operating at frequencies above 10 GHz and having switching times less than 100 psec. If the 1970s cannot be remembered for the opportunities for creating and extensively using transistors operating at such high speeds, then, the situation has changed radically because of rapid progress in sub micrometer technology for manufacturing transistors and integrated circuits from GaAs and other semiconductor materials and the powerful influx of new physical concepts. Not only have transistors having switching speeds of 50-100 psec operating in the 10-20 GHz region been created in recent years, but the possibilities for manufacturing transistors operating one to two orders of magnitude faster have been revealed. As superhigh-speed transistors have been created, many of the most important areas of technology such as communications, computing technology, television, radar, and the manufacture of scientific, industrial, and medical equipment have qualitatively changed. Microwave transistors operating at millimeter wavelengths make it possible to produce compact and highly efficient equipment for communications and radar technology. Transistors with switching speeds better than 10-100 psec make it possible to increase the speed of microprocessors and other computer components to tens of billions of operations per second and thereby solve one of the most pressing problems of modern electronics - increasing the speed of digital information processing.
Front Matter....Pages i-xiii
High-Speed Transistor Parameters....Pages 1-34
Technological and Physical Limitations on Transistor Miniaturization....Pages 35-47
Maximum Drift Velocity in Semiconductors....Pages 48-73
Homojunction Field-Effect and Bipolar Transistors....Pages 74-111
Heterostructure Field-Effect Transistors....Pages 112-166
Heterostructure Bipolar Transistors....Pages 167-196
Hot-Electron Transistors....Pages 197-236
Analog Transistors....Pages 237-254
Quantum-Effect Transistors....Pages 255-307
High-Speed Devices and Integrated Circuits....Pages 308-332
Back Matter....Pages 333-337