دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: نویسندگان: Grove A.S. سری: ناشر: سال نشر: تعداد صفحات: 198 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 57 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک و فناوری دستگاه های نیمه هادی: فیزیک، فیزیک حالت جامد، فیزیک نیمه هادی ها
در صورت تبدیل فایل کتاب Physics and Technology of Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک و فناوری دستگاه های نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
نیویورک: وایلی و پسران شرکت، 1967. - 366 ص.
هدف این کتاب ارائه مقدمه ای بر فیزیک و فناوری دستگاه های
سیلیکونی مسطح، یعنی دستگاه های ساخته شده با فناوری مسطح است.
مطمئناً، اصول فیزیکی زیربنای ساخت و عملکرد این دستگاه ها با
اصول ساخت و عملکرد دستگاه های ساخته شده از نیمه هادی های دیگر
توسط فناوری های دیگر تفاوتی ندارد. با این حال، مشکلاتی که به
صورت کلی در نظر گرفته می شوند، حل آنها بسیار دشوار است. برای
قابل حل کردن یک مشکل، باید روی مهمترین ویژگی های آن تمرکز کنیم.
برای مثال، آنچه برای دیود ژرمانیوم آلیاژی مهم است، ممکن است
برای دیود سیلیکونی مسطح مهم نباشد. در نتیجه، تقریبهایی که
ویژگیهای اولی را به خوبی توصیف میکنند، اغلب نتایجی را در
تطابق بسیار ضعیف با مشاهدات روی دومی نشان میدهند. اکثر
کتابهای گذشته، اگر نگوییم همه، به طور ضمنی بر عواملی که در
ارتباط با دستگاههای آلیاژ ژرمانیوم مهم هستند، تمرکز کردهاند.
در این یکی، تاکید بر مواردی است که در برخورد با دستگاه های
سیلیکونی مسطح مهم هستند.
New York: Wiley & Sons Inc., 1967. - 366 p.
The purpose of this book is to provide an introduction to the
physics and technology of planar silicon devices, i.e., devices
made by the planar technology. To be sure, the physical
principles underlying the fabrication and the operation of
these devices do not differ from those underlying the
fabrication and the operation of devices made from other
semiconductors by other technologies. However, problems viewed
in general terms tend to be very difficult to solve. To render
a problem tractable, we must concentrate on its most important
features. What is important for an alloy germanium diode, for
instance, may not be important for a planar silicon diode. As a
result, approximations which describe well the characteristics
of the former often give results in very poor agreement with
observations on the latter. Most if not all books in the past
have tacitly concentrated on those factors that are important
in relation to germanium alloy devices. In this one, the
emphasis is on those which are important in dealing with planar
silicon devices.