دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Fujita. Masahiro, Yamazaki. Shunpei سری: Wiley Series in Display Technology ISBN (شابک) : 9781119247425, 111924742X ناشر: Wiley سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 0 زبان: English فرمت فایل : EPUB (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 84 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO : Application to LSI به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک و فناوری نیمه هادی اکسید کریستالی CAAC-IGZO: کاربرد در LSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب کاربرد فناوری اکسید کریستالی همتراز با محور c (CAAC-IGZO) را در مدارهای یکپارچهسازی در مقیاس بزرگ (LSI) توصیف میکند. این برنامه ها شامل حافظه دسترسی تصادفی نیمه هادی اکسید غیرفرار (NOSRAM)، حافظه دسترسی تصادفی نیمه هادی اکسید پویا (DOSRAM)، واحد پردازش مرکزی (CPU)، آرایه دروازه قابل برنامه ریزی میدانی (FPGA)، حسگرهای تصویر و غیره است. فیزیک دستگاه (به عنوان مثال، ویژگی های خارج از حالت) ترانزیستورهای اثر میدانی CAAC-IGZO (FET) و فناوری فرآیند برای ساختار ترکیبی CAAC-IGZO و Si FET ها را پوشش می دهد. این یک فناوری جریان خارج از حالت بسیار پایین مورد استفاده در مدارهای LSI را توضیح میدهد و کاهش مصرف انرژی را در نمونههای اولیه LSI ساخته شده توسط فرآیند هیبریدی نشان میدهد. دو کتاب دیگر در این مجموعه اصول اولیه را شرح خواهند داد. و کاربرد خاص CAAC-IGZO برای نمایشگرهای LCD و OLED. ویژگی های کلیدی: • فیزیک و ویژگی های FET های CAAC-IGZO را که به عملکرد مطلوب دستگاه های LSI کمک می کند، تشریح می کند. • کاربرد CAAC-IGZO در دستگاه های LSI را توضیح می دهد و ویژگی هایی از جمله جریان کم حالت خاموش، مصرف برق کم و حفظ شارژ عالی را برجسته می کند. • NOSRAM، DOSRAM، CPU، FPGA، حسگرهای تصویر، و غیره را توصیف میکند و به تراشههای نمونه ساخته شده توسط فرآیند ترکیبی CAAC-IGZO و Si FET اشاره میکند.
This book describes the application of c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) technology in large-scale integration (LSI) circuits. The applications include Non-volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM), Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory (DOSRAM), central processing unit (CPU), field-programmable gate array (FPGA), image sensors, and etc. The book also covers the device physics (e.g., off-state characteristics) of the CAAC-IGZO field effect transistors (FETs) and process technology for a hybrid structure of CAAC-IGZO and Si FETs. It explains an extremely low off-state current technology utilized in the LSI circuits, demonstrating reduced power consumption in LSI prototypes fabricated by the hybrid process. A further two books in the series will describe the fundamentals; and the specific application of CAAC-IGZO to LCD and OLED displays. Key features: • Outlines the physics and characteristics of CAAC-IGZO FETs that contribute to favorable operations of LSI devices. • Explains the application of CAAC-IGZO to LSI devices, highlighting attributes including low off-state current, low power consumption, and excellent charge retention. • Describes the NOSRAM, DOSRAM, CPU, FPGA, image sensors, and etc., referring to prototype chips fabricated by a hybrid process of CAAC-IGZO and Si FETs.
Content: Title Page
Copyright
Contents
About the Editors
List of Contributors
Series Editor's Foreword
Preface
Acknowledgments
Chapter 1 Introduction
1.1 Overview of this Book
1.2 Background
1.2.1 Typical Characteristics of CAAC-IGZO FETs
1.2.2 Possible Applications of CAAC-IGZO FETs
1.3 Summary of Each Chapter
References
Chapter 2 Device Physics of CAAC-IGZO FET
2.1 Introduction
2.2 Off-State Current
2.2.1 Off-State Current Comparison between Si and CAAC-IGZO FETs
2.2.2 Measurement of Extremely Low Off-State Current
2.2.3 Theoretical Discussion with Energy Band Diagram. 2.2.4 Conclusion2.3 Subthreshold Characteristics
2.3.1 Estimation of Icut by SS
2.3.2 Extraction Method of Interface Levels
2.3.3 Reproduction of Measured Value and Estimation of Icut
2.3.4 Conclusion
2.4 Technique for Controlling Threshold Voltage (Vth)
2.4.1 Vth Control by Application of Back-Gate Bias
2.4.2 Vth Control by Formation of Circuit for Retaining Back-Gate Bias
2.4.3 Vth Control by Charge Injection into the Charge Trap Layer
2.4.4 Conclusion
2.5 On-State Characteristics
2.5.1 Channel-Length Dependence of Field-Effect Mobility
2.5.2 Measurement of Cut-off Frequency. 2.5.3 Summary2.6 Short-Channel Effect
2.6.1 Features of S-ch CAAC-IGZO FETs
2.6.2 Effect of S-ch Structure
2.6.3 Intrinsic Accumulation-Mode Device
2.6.4 Dielectric Anisotropy
2.6.5 Numerical Calculation of the Band Diagrams in IGZO FETs
2.6.6 Summary
2.7 20-nm-Node CAAC-IGZO FET
2.7.1 TGSA CAAC-IGZO FET
2.7.2 Device Characteristics
2.7.3 Memory-Retention Characteristics
2.7.4 Summary
2.8 Hybrid Structure
2.8.1 TGTC Structure
2.8.2 TGSA Structure
2.8.3 Hybrid Structure
Appendix: Comparison between CAAC-IGZO and Si
References
Chapter 3 NOSRAM
3.1 Introduction. 3.2 Memory Characteristics3.3 Application of CAAC-IGZO FETs to Memory and their Operation
3.4 Configuration and Operation of NOSRAM Module
3.4.1 NOSRAM Module
3.4.2 Setting Operational Voltage of NOSRAM Module
3.4.3 Operation of NOSRAM Module
3.5 Multilevel NOSRAM
3.5.1 4-Level (2 Bits/Cell) NOSRAM Module
3.5.2 8-Level (3 Bits/Cell) NOSRAM Module
3.5.3 16-Level (4 Bits/Cell) NOSRAM Module
3.5.4 Stacked Multilevel NOSRAM
3.6 Prototype and Characterization
3.6.1 2-Level NOSRAM
3.6.2 4-Level NOSRAM
3.6.3 8-Level NOSRAM
3.6.4 16-Level NOSRAM
3.6.5 Comparison of Prototypes.