دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Physics and technology of crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO. Fundamentals
دانلود کتاب فیزیک و فناوری نیمه هادی اکسید کریستالی CAAC-IGZO. مبانی
مشخصات کتاب
Physics and technology of crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO. Fundamentals
ویرایش: نویسندگان: Kimizuku. Noboru, Yamazaki. Shunpei سری: Wiley SID series in display technology ISBN (شابک) : 9781119247289, 1119247365 ناشر: John Wiley & Sons سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 348 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 31 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 44,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Physics and technology of crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO. Fundamentals به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک و فناوری نیمه هادی اکسید کریستالی CAAC-IGZO. مبانی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک و فناوری نیمه هادی اکسید کریستالی CAAC-IGZO. مبانی
دستگاه‌های الکترونیکی مبتنی بر نیمه‌هادی‌های اکسیدی، با مواد
کریستالی که موفقیت تجاری بزرگی را ایجاد می‌کنند، کانون توجه
بسیاری هستند. ترانزیستورهای ایندیوم-گالیوم-زینک اکساید (IGZO)
تحرک بالاتری نسبت به ترانزیستورهای سیلیکونی آمورف دارند و جریان
خاموش بسیار پایینی دارند. IGZO کریستالی هم تراز با محور C
(CAAC) کوچک‌سازی تهاجمی، قابلیت اطمینان بالا و ساده‌سازی فرآیند
ترانزیستورهای را در
نمایشگرها و دستگاه‌های LSI ممکن می‌سازد. این کتاب اصلی ساختار
CAAC-IGZO را معرفی می‌کند و فیزیک و فناوری این کلاس جدید از
مواد اکسیدی را توصیف می‌کند. این طبقه بندی کریستالوگرافی و
ویژگی های نیمه هادی های اکسید کریستالی، ویژگی های کریستالوگرافی
و خواص فیزیکی آنها و اینکه چگونه این ماده منحصر به فرد سهم عمده
ای در زمینه لایه های نازک نیمه هادی اکسیدی داشته است را توضیح
می دهد. دو کتاب دیگر در این مجموعه کاربردهای CAAC-IGZO را در
نمایشگرهای صفحه تخت و دستگاه های LSI شرح می دهند. ویژگی های
کلیدی: -معرفی نیمه هادی اکسید کریستالی منحصر به فرد و انقلابی،
در عین حال نسبتا ناشناخته CAAC-IGZO - مروری بر کریستالوگرافی
IGZO و ترکیبات مرتبط را ارائه می دهد. -درکی عمیق از CAAC-IGZO
ارائه می دهد. -روش ساخت لایه های نازک CAAC-IGZO را توضیح می
دهد. ویژگی های فیزیکی و آخرین داده ها را برای پشتیبانی از IGZO
کریستالی با قابلیت اطمینان بالا بر اساس تجربه عملی ارائه می
دهد. -فرایند ساخت ترانزیستورهای CAAC-IGZO را شرح می دهد و
برنامه دستگاه را با استفاده از CAAC-IGZO معرفی می کند.
بیشتر
بخوانید... div>
چکیده:
چکیده:
دستگاه‌های الکترونیکی مبتنی بر نیمه‌هادی‌های اکسیدی کانون
توجه بسیاری هستند، با مواد کریستالی که موفقیت تجاری زیادی
ایجاد می‌کنند. ترانزیستورهای ایندیوم گالیوم زینک اکساید
(IGZO) تحرک
بالاتری نسبت به ترانزیستورهای سیلیکونی آمورف دارند و جریان
خاموش بسیار کم دارند. بیشتر
بخوانید...
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Electronic devices based on oxide semiconductors are the focus
of much attention, with crystalline materials generating huge
commercial success. Indium-gallium-zinc oxide (IGZO)
transistors have a higher mobility than amorphous silicon
transistors, and an extremely low off-state current. C-axis
aligned crystalline (CAAC) IGZO enables aggressive
down-scaling, high reliability, and process simplification of
transistors in
displays and LSI devices. This original book introduces the
CAAC-IGZO structure, and describes the physics and technology
of this new class of oxide materials. It explains the
crystallographic classification and characteristics of
crystalline oxidesemiconductors, their crystallographic
characteristics and physical properties, and how this unique
material has made a major contribution to the field of oxide
semiconductor thin films. Two further books in this series
describe applications of CAAC-IGZO in flat-panel displays and
LSI devices. Key features: -Introduces the unique and
revolutionary, yet relatively unknown crystalline oxide
semiconductor CAAC-IGZO -Presents crystallographic overviews of
IGZO and related compounds. -Offers an in-depth understanding
of CAAC-IGZO. -Explains the fabrication method of CAAC-IGZO
thin films. -Presents the physical properties and latest data
to support high-reliability crystalline IGZO based on hands-on
experience. -Describes the manufacturing process the CAAC-IGZO
transistors and introducesthe device application using
CAAC-IGZO. Read
more...
Abstract:
Abstract:
Electronic devices based on oxide semiconductors are the
focus of much attention, with crystalline materials
generating huge commercial success. Indium gallium zinc oxide
(IGZO) transistors have a higher mobility than
amorphous silicon transistors, and an extremely low off-state
current. Read more...
فهرست مطالب
Content: Layered compounds in the In2O3-Ga2O3-ZnO system and related compounds in the ternary system --
Systematic view of crystalline CAAC-IGZO and other crystalline IGZO thin films --
Fundamental properties of IGZO --
CAAC-IGZO field-effect transistor --
Device application using CAAC-IGZO.
