مشخصات کتاب

Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP

ویرایش:  
نویسندگان: Sadao Adachi(auth.)  
سری:  
ISBN (شابک) : 9780471573296, 9783527602810 
ناشر: by John Wiley & Sons, Inc. 
سال نشر: 1992 
تعداد صفحات: 330 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب خصوصیات فیزیکی ترکیبات نیمه هادی III-V: InP ، InAs ، GaAs ، GaP ، InGaAs و InGaAsP نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب خصوصیات فیزیکی ترکیبات نیمه هادی III-V: InP ، InAs ، GaAs ، GaP ، InGaAs و InGaAsP

هدف این کتاب دو جنبه است: بررسی خواص کلیدی ترکیبات III-V و ارائه پارامترهای مواد متنوع و ثابت های این نیمه هادی ها برای انواع تحقیقات پایه و کاربردهای دستگاه. تاکید بر خواص مواد نه تنها Inp بلکه InAs، GaAs و GaP باینری است. محتوا:
مقدمه فصل 1 (صفحات 1-3):
فصل 2 ویژگی های ساختاری (صفحات 4-16):
فصل 3 ویژگی های ارتعاشی مکانیکی، الاستیک و شبکه (صفحه های 17-) 47):
فصل 4 خواص حرارتی (صفحات 48-62):
فصل 5 اثرات جمعی و برخی از ویژگی های پاسخ (صفحات 63-74):
فصل 6 انرژی الکترونیکی؟ ساختار باند (صفحات 75-117) ):
فصل 7 پتانسیل های تغییر شکل الکترون و حفره (صفحات 118-134):
فصل 8 ویژگی های نوری (صفحات 135-192):
فصل 9 الاستوپتیک و اثر الکترواپتیکی (صفحه های 193-222): < br>فصل 10 ویژگی های حمل و نقل حامل (صفحات 223-262):
فصل 11 مشکلات کرنش در InGaAs(P)؟ ساختارهای ناهمسان مبتنی بر (صفحات 263-286):
فصل 12 اظهارات پایانی (صفحه های 287-28):

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The objective of this book is two-fold: to examine key properties of III-V compounds and to present diverse material parameters and constants of these semiconductors for a variety of basic research and device applications. Emphasis is placed on material properties not only of Inp but also of InAs, GaAs and GaP binaries. Content:
Chapter 1 Introduction (pages 1–3):
Chapter 2 Structural Properties (pages 4–16):
Chapter 3 Mechanical, Elastic, and Lattice Vibrational Properties (pages 17–47):
Chapter 4 Thermal Properties (pages 48–62):
Chapter 5 Collective Effects and Some Response Characteristics (pages 63–74):
Chapter 6 Electronic Energy?Band Structure (pages 75–117):
Chapter 7 Electron and Hole Deformation Potentials (pages 118–134):
Chapter 8 Optical Properties (pages 135–192):
Chapter 9 Elastooptic and Electrooptic Effect (pages 193–222):
Chapter 10 Carrier Transport Properties (pages 223–262):
Chapter 11 Strain Problems in InGaAs(P)?Based Heterostructures (pages 263–286):
Chapter 12 Concluding Remarks (pages 287–288):

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Populäre Religion auf dem Weg in eine spirituelle Gesellschaft

دانلود کتاب Пригоди дон Кіхота.

دانلود کتاب Arqueología de la formación del estado : el caso de la cuenca norte del Titicaca

دانلود کتاب Sensing the sacred in medieval and early modern culture

دانلود کتاب Fraseología, lingüística cognitiva y español LE/L2 (Routledge Innovations in Spanish Language Teaching)