دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Dr. Gianfranco Cerofolini, Dr. Laura Meda (auth.) سری: Springer Series in Materials Science 8 ISBN (شابک) : 9783642735066, 9783642735042 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 1989 تعداد صفحات: 129 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 3 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب شیمی فیزیک، در و روی سیلیکون: مواد نوری و الکترونیکی، سطوح و رابط ها، لایه های نازک، شیمی فیزیک
در صورت تبدیل فایل کتاب Physical Chemistry of, in and on Silicon به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب شیمی فیزیک، در و روی سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
هدف این کتاب دو چیز است: این کتاب برای استفاده به عنوان یک کتاب درسی برای درس مواد الکترونیکی در نظر گرفته شده است (در واقع، این کتاب از مجموعه ای از سخنرانی ها در مورد این موضوع در پلی تکنیک میلان و در دانشگاه های مودنا و مودنا نشات می گیرد. Parma)، و به عنوان یک بررسی به روز برای دانشمندانی که در زمینه ::>f پردازش سیلیکون کار می کنند. اگرچه تعدادی از کارها در مورد سیلیکون در حال حاضر در دسترس است، حجم وسیعی از داده های موجود و جدید در مورد ویژگی های سیلیکون به اندازه کافی در یک گزارش جامع خلاصه نمی شود. جلد حاضر برای پر کردن این شکاف در نظر گرفته شده است. بیشتر نمونههایی که به آنها پرداخته میشود، از تجربیات روزانه نویسندگان گرفته شدهاند، این انتخاب صرفاً به دلیل شناخت بیشتر آنها از این حوزهها دیکته شده است. جنبه های خاصی از فیزیک سیلیکون گنجانده نشده است. این به این دلیل است که آنها در کتاب های درسی استاندارد مورد بررسی قرار گرفته اند (مانند نیمه هادی ناهمگن دوپ شده و شیمی حکاکی آبی همسانگرد یا ترجیحی سیلیکون)، یا به این دلیل که هنوز در یک فاز به سرعت در حال تکامل هستند (مثلاً مهندسی شکاف سیلیکونی، تولید). -پدیده های نوترکیبی، خواص برودتی و شیمی اچینگ پلاسما). مطابق با رویه استاندارد در میکروالکترونیک، واحدهای CGS برای کمیتهای مکانیکی و حرارتی و واحدهای SI برای کمیتهای الکتریکی استفاده خواهند شد. تمام انرژی های اتمی بر حسب الکترون ولت داده می شود و آنگستروم واحد طول مورد استفاده برای پدیده های اتمی خواهد بود.
The aim of this book is twofold: it is intended for use as a textbook for a ~ourse on electronic materials (indeed, it stems from a series of lectures on this topic delivered at Milan Polytechnic and at the universities of Modena and Parma), and as an up-to-date review for scientists working in the field ::>f silicon processing. Although a number of works on silicon are already available, the vast amount of existing and new data on silicon properties are nowhere adequately summarized in a single comprehensive report. The present volume is intended to fill this gap. Most of the examples dealt with are taken from the authors' every day experience, this choice being dictated merely by their greater knowl edge of these areas. Certain aspects of the physics of silicon have not been included; this is either because they have been treated in standard textbooks (e.g. the inhomogeneously doped semiconductor and the chem istry of isotropic or preferential aqueous etching of silicon), or because they are still in a rapidly evolving phase (e.g. silicon band-gap engineering, generation-recombination phenomena, cryogenic properties and the chem istry of plasma etching). In line with the standard practice in microelectronics, CGS units will be used for mechanical and thermal quantities, and SI units for electrical quan tities. All atomic energies will be given in electronvolts and the angstrom will be the unit of length used for atomic phenomena.
Front Matter....Pages I-VIII
Silicon....Pages 1-7
Silicon Phases....Pages 8-14
Equilibrium Defects....Pages 15-24
Impurities....Pages 25-32
Dopants....Pages 33-51
Defect-Impurity Interactions....Pages 52-58
The High Density Limit....Pages 59-69
Surfaces and Interfaces....Pages 70-80
Gettering....Pages 81-92
Device Processing....Pages 93-103
Back Matter....Pages 105-122