برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Photoinduced defects in semiconductors

دانلود کتاب نقص ناشی از عکس در نیمه هادی ها

مشخصات کتاب

Photoinduced defects in semiconductors

دسته بندی: الکترونیک: رادیو
ویرایش:  
نویسندگان: David Redfield. Richard H. Bube  
سری: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering 
ISBN (شابک) : 9780521461962, 0521461960 
ناشر: CUP 
سال نشر: 1996 
تعداد صفحات: 228 
زبان: English 
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 2 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 29,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 11

در صورت تبدیل فایل کتاب Photoinduced defects in semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نقص ناشی از عکس در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب نقص ناشی از عکس در نیمه هادی ها

این کتاب یک نمای کلی از خواص عیوب سطح عمیق و موضعی در نیمه هادی ها ارائه می دهد. چنین عیوب نسبتاً طولانی مدت (یا فراپایدار) فعل و انفعالات پیچیده ای با مواد اطراف نشان می دهند و می توانند به طور قابل توجهی بر عملکرد و پایداری دستگاه های نیمه هادی خاص تأثیر بگذارند. پس از بحث مقدماتی در مورد نقایص فراپایدار، نویسندگان خواص مراکز DX و EL2 را در ترکیبات IIISHV ارائه می‌کنند. آنها همچنین قبل از ارائه شرح مفصلی از خواص و سینتیک نقص های ناشی از عکس در نیمه هادی های آمورف، با مواد کریستالی اضافی سروکار دارند. این کتاب با بررسی اثرات نقص های ناشی از عکس در طیف وسیعی از کاربردهای عملی بسته می شود. این کتاب برای دانشجویان فارغ التحصیل و محققان علاقه مند به فیزیک و علم مواد نیمه هادی ها بسیار مفید خواهد بود.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book gives a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Such comparatively long-lived (or metastable) defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices. After an introductory discussion of metastable defects, the authors present properties of DX and EL2 centers in IIISHV compounds. They also deal with additional crystalline materials before giving a detailed description of the properties and kinetics of photo-induced defects in amorphous semiconductors. The book closes with an examination of the effects of photo-induced defects in a range of practical applications. The book will be of great use to graduate students and researchers interested in the physics and materials science of semiconductors.