دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: نویسندگان: Richard H. Bube سری: ISBN (شابک) : 9780521406819 ناشر: Cambridge University Press سال نشر: 1992 تعداد صفحات: 334 زبان: English فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 48 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Photoelectronic properties of semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خواص فوتوالکترونیکی نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
برهمکنش بین نور و الکترون ها در نیمه هادی ها اساس را تشکیل می دهد برای بسیاری از خواص جالب و عملی قابل توجه. این کتاب بررسی می کند فیزیک اساسی زیربنای این پیچیدگی غنی فوتوالکترونیک ویژگی های نیمه هادی ها، و خواننده را با آن نسبتا آشنا می کند مدل های ساده ای که در توصیف این اصول مفید هستند. اساسی فیزیک نیز با نمونه های معمولی اخیر داده های تجربی نشان داده شده است و مشاهدات پس از مطالب مقدماتی در مورد مفاهیم اساسی، کتاب ادامه میدهد برای در نظر گرفتن طیف گسترده ای از پدیده ها، از جمله رسانایی عکس، نوترکیب جلوه ها، روش های عکس الکترونیکی تجزیه و تحلیل عیب، جلوه های عکس در مرزهای دانه، نیمه هادی های آمورف، اثرات فتوولتائیک و جلوه های عکس در چاه های کوانتومی و ابر شبکه ها نویسنده پروفسور است علم مواد و مهندسی برق در دانشگاه استنفورد، و دارد سالها این مطالب را تدریس کرد. او یک نویسنده باتجربه است، پیشین کتاب هایی که مقبولیت و استفاده گسترده ای پیدا کرده اند. این کتاب نشان دهنده، به همان اندازه است همانطور که هر کتابی می تواند، 44 سال تحقیق او تا به امروز. بنابراین خوانندگان این جلد را بهروز و مختصر میدانند خلاصه ای از مفاهیم اصلی، مدل ها و نتایج. به عنوان متنی برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی، اما منبع مهمی برای هر کسی خواهد بود که در آن تحقیق می کند این رشته جالب
The interaction between light and electrons in semiconductors forms the basis for many interesting and practically significant properties. This book examines the fundamental physics underlying this rich complexity of photo-electronic properties of semiconductors, and will familiarize the reader with the relatively simple models that are useful in describing these fundamentals. The basic physics is also illustrated with typical recent examples of experimental data and observations. Following introductory material on the basic concepts, the book moves on to consider a wide range of phenomena, including photo-conductivity, recombination effects, photo-electronic methods of defect analysis, photo-effects at grain boundaries, amorphous semiconductors, photo-voltaic effects and photo-effects in quantum wells and super-lattices. The author is Professor of Materials Science and Electrical Engineering at Stanford University, and has taught this material for many years. He is an experienced author, his earlier books having found wide acceptance and use. This book represents, as much as any one book can, his 44 years of research to date. Readers will therefore find this volume to be an up-to-date and concise summary of the major concepts, models and results. It is intended as a text for graduate students, but will be an important resource for anyone researching in this interesting field.
1. Introductory concepts 2. Photoconductivity 3. One-center recombination models 4. The Shockley-Read one-center model 5. Two-center recombination effects 6. Recombination mechanisms 7. Steady-state photoelectronic analysis 8. Transient photoelectronic analysis 9. Photoeffects at grain boundaries 10. Amorphous semiconductors 11. Photovoltaic effects 12. Quantum wells and superlattices Bibliography Index.