ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Photoelectric Properties and Applications of Low-Mobility Semiconductors

دانلود کتاب ویژگی های فوتوالکتریک و کاربردهای نیمه هادی های کم تحرک

Photoelectric Properties and Applications of Low-Mobility Semiconductors

مشخصات کتاب

Photoelectric Properties and Applications of Low-Mobility Semiconductors

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری: Springer Tracts in Modern Physics 167 
ISBN (شابک) : 9783540666998, 3540666990 
ناشر: Springer Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2000 
تعداد صفحات: 105 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 3 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 41,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب ویژگی های فوتوالکتریک و کاربردهای نیمه هادی های کم تحرک: مواد نوری و الکترونیکی، اپتیک کوانتومی، الکترونیک کوانتومی، اپتیک غیرخطی، فناوری لیزر و فیزیک، فوتونیک



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Photoelectric Properties and Applications of Low-Mobility Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ویژگی های فوتوالکتریک و کاربردهای نیمه هادی های کم تحرک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ویژگی های فوتوالکتریک و کاربردهای نیمه هادی های کم تحرک

این جلد به بررسی رفتار فوتوالکتریک سه ماده لایه نازک نیمه هادی سیلیکون آمورف هیدروژنه (a Si:H)، دی اکسید تیتانیوم متخلخل نانو، و فولرن C60 می پردازد. علیرغم تفاوت های ساختاری اساسی بین این مواد، خواص الکترونیکی آنها حداقل در سطح پدیدارشناختی به طرز شگفت انگیزی مشابه است، زیرا هر سه ماده دارای تحرک ناقل نسبتاً کمی هستند. در دهه گذشته یک Si:H بخش‌های بزرگی از بازار را در زمینه‌های فتوولتائیک، نمایشگرهای پنل فیات و کاربردهای آشکارساز فتح کرده است. این مطمئناً پیشرفته ترین و بهترین درک از این سه ماده است. نانو متخلخل Ti02 با موفقیت در یک سلول خورشیدی جدید که دارای یک جاذب رنگ آلی است استفاده می شود. این محصول اکنون در آستانه تجاری سازی است، در حالی که به نظر می رسد برنامه های الکترونیکی برای C60 هنوز در مرحله اکتشاف هستند. در این مرحله به نظر می رسد که برخی از بینش و بسیاری از تکنیک های تجربی مورد استفاده در توسعه Si:H ممکن است در مطالعه جاری و در عین حال بسیار ابتدایی لایه های نازک TiO2 و C60 مفید باشد. این ایده راهنمای این کتاب است. بدون اینکه در بخش سیلیکون آمورف جامع باشد، تلاش می‌کند تا طرح‌های مشخصه اصلی را برای مواد نانو متخلخل و فولرن ترسیم کند و پتانسیل آنها را برای کاربردها با توجه به یک مرجع، که توسط Si:H ارائه شده است، ارزیابی کند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This volume discusses the photoelectric behavior of three semiconducting thin film materials hydrogenated amorphous silicon (a Si:H), nano porous titanium dioxide, and the fullerene C60. Despite the fundamental structural differences between these materials, their electronic properties are at least on the phenomenological level surprisingly similar, since all three materials have rather low carrier mobilities. In the last decade a Si:H has conquered large market segments in photo voltaics, fiat panel displays and detector applications. It is surely the most advanced and best understood of the three materials. Nano porous Ti02 is used successfully in a novel solar cell featuring an organic dye absorber. This product is now at the brink of commercialization, while electronic applica tions for C60 still appear to be in the exploration phase. At this stage it appears that some of the insight and many of the exper imental techniques used in the development of a Si:H may prove useful in the on going and yet very basic study of TiO2 and C60 thin films. This idea is the guideline to this book. Without being comprehensive on the part of amorphous silicon, it attempts to outline basic characterization schemes for the nano porous and fullerene materials, and to evaluate their potential for applications with respect to a reference, which is given by a Si:H.



فهرست مطالب

Introduction....Pages 1-9
Basic Concepts of Low-Mobility Transport....Pages 11-19
Transport in a-Si:H and Its Alloys....Pages 21-39
Transport in Porous TiO 2 and TiO 2 -Based Devices....Pages 41-64
Transport in C 60 ....Pages 65-82
Conclusions....Pages 83-86




نظرات کاربران