مشخصات کتاب

Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave)

ویرایش: [Unabridged] 
نویسندگان: Günter Kompa  
سری:  
ISBN (شابک) : 1630817449, 9781630817442 
ناشر: Artech House 
سال نشر: 2020 
تعداد صفحات: 570
[609] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 45 Mb 

در صورت تبدیل فایل کتاب Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب استخراج پارامتر و مدلهای پیچیده غیرخطی ترانزیستور (مایکروویو) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب استخراج پارامتر و مدلهای پیچیده غیرخطی ترانزیستور (مایکروویو)

همه پارامترهای مدل اساساً با هم جفت می شوند، به طوری که پارامترهای فردی که مستقیماً اندازه گیری می شوند، اگرچه به طور گسترده مورد استفاده و پذیرفته شده اند، ممکن است در ابتدا فقط به عنوان تخمین های خوبی عمل کنند. این منبع جامع همه جنبه‌های مربوط به مدل‌سازی پارامترهای دستگاه اثر میدان نیمه‌رسانا را بر اساس فناوری گالیم-آرسنید (GaAs) و شبکه متخاصم مولد (GaN) ارائه می‌کند. ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلزی (MESFET)، ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا (HEMT) و ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگونی (HBT)، ساختار و عملکرد آنها و مدل های ترانزیستور موجود نیز طبقه بندی می شوند. مدل شاکلی به منظور ارائه بینشی به فیزیک دستگاه ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی (FET) و توضیح رابطه بین پارامترهای هندسی و مواد و عملکرد دستگاه ارائه شده است. استخراج ثابت های زمانی به دام انداختن و حرارتی بحث شده است. بخش ویژه‌ای به مدل‌های استاندارد FET غیرخطی اختصاص داده شده است که برای اندازه‌گیری‌های سیگنال بزرگ، از جمله تحریک استاتیکی/پالسی-DC و تحریک تک/دو تنی اعمال می‌شوند. تنظیمات اندازه‌گیری توان بالا برای اندازه‌گیری شکل موج سیگنال، اندازه‌گیری منبع باند پهن/بار-کشش (شامل منبع پاکت-/کشش بار) نیز همراه با تنظیم اندازه‌گیری اعوجاج درون مدولاسیون با توان بالا (IMD) (شامل بار کشش پاکت) گنجانده شده است. این کتاب که توسط یک متخصص مشهور جهان در این زمینه نوشته شده است، اولین کتابی است که تمام جنبه های مدل سازی دستگاه FET نیمه هادی را در یک جلد پوشش می دهد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

All model parameters are fundamentally coupled together, so that directly measured individual parameters, although widely used and accepted, may initially only serve as good estimates. This comprehensive resource presents all aspects concerning the modeling of semiconductor field-effect device parameters based on gallium-arsenide (GaAs) and generative adversarial network (GaN) technology. Metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs), high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors (HBTs), their structures and functions, and existing transistor models are also classified. The Shockley model is presented in order to give insight into semiconductor field-effect transistor (FET) device physics and explain the relationship between geometric and material parameters and device performance. Extraction of trapping and thermal time constants is discussed. A special section is devoted to standard nonlinear FET models applied to large-signal measurements, including static-/pulsed-DC and single-/two-tone stimulation. High power measurement setups for signal waveform measurement, wideband source-/load-pull measurement (including envelope source-/load pull) are also included, along with high-power intermodulation distortion (IMD) measurement setup (including envelope load-pull). Written by a world-renowned expert in the field, this book is the first to cover of all aspects of semiconductor FET device modeling in a single volume.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب The Second Chinese Revolution

دانلود کتاب A Theory of International Trade Under Uncertainty

دانلود کتاب Manuale del termotecnico

دانلود کتاب Tact: Aesthetic Liberalism and the Essay Form in Nineteenth-Century Britain

دانلود کتاب Was ist ein Philosoph?: Philosophie und Autobiographie bei René Descartes (Inauguraldissertation zur Erlangung des Grades eines Doktors der Philosophie am Fachbereich Philosophie und Geisteswissenschaften)