دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: R.K. Willardson, Albert C. Beer and Eicke R. Weber (Eds.) سری: Semiconductors and Semimetals 42 ISBN (شابک) : 0127521429, 9780080864396 ناشر: Academic Press سال نشر: 1994 تعداد صفحات: 711 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 31 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Oxygen in Silicon به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اکسیژن در سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد آخرین درک از رفتار و نقش اکسیژن در سیلیکون را بررسی میکند، که این زمینه را از دیدگاه تجربی و نظری به دوران ULSI منتقل میکند. چهارده فصل، نوشته شده توسط مقامات رسمی به نمایندگی از مؤسسات صنعتی و دانشگاهی، به طور کامل پدیده های مربوط به اکسیژن از رشد کریستال تا فرآیندهای ساخت دستگاه، و همچنین تکنیک های تشخیصی ضروری برای اکسیژن را پوشش می دهد. ویژگی های کلیدی* مطالعه جامع رفتار اکسیژن در سیلیکون* در مورد کریستال های سیلیکون برای کاربردهای VLSI و ULSI بحث می کند* پوشش کامل از رشد کریستال تا ساخت دستگاه* ویرایش شده توسط کارشناسان فنی در این زمینه* نوشته شده توسط مقامات معتبر از موسسات صنعتی و دانشگاهی* مفید به دانشجویان فارغ التحصیل، دانشمندان در رشته های دیگر، و شرکت کنندگان فعال در عرصه تحقیقات میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون * 297 نقشه خط اصلی
This volume reviews the latest understanding of the behavior and roles of oxygen in silicon, which will carry the field into the ULSI era from the experimental and theoretical points of view. The fourteen chapters, written by recognized authorities representing industrial and academic institutions, cover thoroughly the oxygen related phenomena from the crystal growth to device fabrication processes, as well as indispensable diagnostic techniques for oxygen. Key Features* Comprehensive study of the behavior of oxygen in silicon* Discusses silicon crystals for VLSI and ULSI applications* Thorough coverage from crystal growth to device fabrication* Edited by technical experts in the field* Written by recognized authorities from industrial and academic institutions* Useful to graduate students, scientists in other disciplines, and active participants in the arena of silicon-based microelectronics research* 297 original line drawings
Content:
Semiconductors and Semimetals
Page ii
Oxygen in Silicon
Page iii
Copyright page
Page iv
List of Contributors
Pages xiii-xiv
Preface
Pages xv-xvi
Fumio Shimura
Chapter 1 Introduction to Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 1-8
F. Shimura
Chapter 2 The Incorporation of Oxygen into Silicon Crystals Original Research Article
Pages 9-52
Wen Lin
Chapter 3 Characterization Techniques for Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 53-93
T.J. Shaffner, D.K. Schroder
Chapter 4 Oxygen Concentration Measurement Original Research Article
Pages 95-152
W.M. Bullis
Chapter 5 Intrinsic Point Defects in Silicon Original Research Article
Pages 153-190
S.M. Hu
Chapter 6 Some Atomic Configurations of Oxygen Original Research Article
Pages 191-249
B. Pajot
Chapter 7 Electrical Properties of Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 251-287
J. Michel, L.C. Kimerling
Chapter 8 Diffusion of Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 289-352
R.C. Newman, R. Jones
Chapter 9 Mechanisms of Oxygen Precipitation: Some Quantitative Aspects Original Research Article
Pages 353-390
T.Y. Tan, W.J. Taylor
Chapter 10 Simulation of Oxygen Precipitation Original Research Article
Pages 391-447
M. Schrems
Chapter 11 Oxygen Effect on Mechanical Properties Original Research Article
Pages 449-511
K. Sumino, I. Yonenaga
Chapter 12 Grown-in and Process-Induced Defects Original Research Article
Pages 513-575
W. Bergholz
Chapter 13 Intrinsic/Internal Gettering Original Research Article
Pages 577-617
F. Shimura
Chapter 14 Oxygen Effect on Electronic Device Performance Original Research Article
Pages 619-667
H. Tsuya
Index
Pages 669-679