ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Oxygen in Silicon

دانلود کتاب اکسیژن در سیلیکون

Oxygen in Silicon

مشخصات کتاب

Oxygen in Silicon

ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری: Semiconductors and Semimetals 42 
ISBN (شابک) : 0127521429, 9780080864396 
ناشر: Academic Press 
سال نشر: 1994 
تعداد صفحات: 711 
زبان: English  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 31 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 34,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 16


در صورت تبدیل فایل کتاب Oxygen in Silicon به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اکسیژن در سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اکسیژن در سیلیکون

این جلد آخرین درک از رفتار و نقش اکسیژن در سیلیکون را بررسی می‌کند، که این زمینه را از دیدگاه تجربی و نظری به دوران ULSI منتقل می‌کند. چهارده فصل، نوشته شده توسط مقامات رسمی به نمایندگی از مؤسسات صنعتی و دانشگاهی، به طور کامل پدیده های مربوط به اکسیژن از رشد کریستال تا فرآیندهای ساخت دستگاه، و همچنین تکنیک های تشخیصی ضروری برای اکسیژن را پوشش می دهد. ویژگی های کلیدی* مطالعه جامع رفتار اکسیژن در سیلیکون* در مورد کریستال های سیلیکون برای کاربردهای VLSI و ULSI بحث می کند* پوشش کامل از رشد کریستال تا ساخت دستگاه* ویرایش شده توسط کارشناسان فنی در این زمینه* نوشته شده توسط مقامات معتبر از موسسات صنعتی و دانشگاهی* مفید به دانشجویان فارغ التحصیل، دانشمندان در رشته های دیگر، و شرکت کنندگان فعال در عرصه تحقیقات میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون * 297 نقشه خط اصلی


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This volume reviews the latest understanding of the behavior and roles of oxygen in silicon, which will carry the field into the ULSI era from the experimental and theoretical points of view. The fourteen chapters, written by recognized authorities representing industrial and academic institutions, cover thoroughly the oxygen related phenomena from the crystal growth to device fabrication processes, as well as indispensable diagnostic techniques for oxygen. Key Features* Comprehensive study of the behavior of oxygen in silicon* Discusses silicon crystals for VLSI and ULSI applications* Thorough coverage from crystal growth to device fabrication* Edited by technical experts in the field* Written by recognized authorities from industrial and academic institutions* Useful to graduate students, scientists in other disciplines, and active participants in the arena of silicon-based microelectronics research* 297 original line drawings



فهرست مطالب

Content: 
Semiconductors and Semimetals
Page ii

Oxygen in Silicon
Page iii

Copyright page
Page iv

List of Contributors
Pages xiii-xiv

Preface
Pages xv-xvi
Fumio Shimura

Chapter 1 Introduction to Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 1-8
F. Shimura

Chapter 2 The Incorporation of Oxygen into Silicon Crystals Original Research Article
Pages 9-52
Wen Lin

Chapter 3 Characterization Techniques for Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 53-93
T.J. Shaffner, D.K. Schroder

Chapter 4 Oxygen Concentration Measurement Original Research Article
Pages 95-152
W.M. Bullis

Chapter 5 Intrinsic Point Defects in Silicon Original Research Article
Pages 153-190
S.M. Hu

Chapter 6 Some Atomic Configurations of Oxygen Original Research Article
Pages 191-249
B. Pajot

Chapter 7 Electrical Properties of Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 251-287
J. Michel, L.C. Kimerling

Chapter 8 Diffusion of Oxygen in Silicon Original Research Article
Pages 289-352
R.C. Newman, R. Jones

Chapter 9 Mechanisms of Oxygen Precipitation: Some Quantitative Aspects Original Research Article
Pages 353-390
T.Y. Tan, W.J. Taylor

Chapter 10 Simulation of Oxygen Precipitation Original Research Article
Pages 391-447
M. Schrems

Chapter 11 Oxygen Effect on Mechanical Properties Original Research Article
Pages 449-511
K. Sumino, I. Yonenaga

Chapter 12 Grown-in and Process-Induced Defects Original Research Article
Pages 513-575
W. Bergholz

Chapter 13 Intrinsic/Internal Gettering Original Research Article
Pages 577-617
F. Shimura

Chapter 14 Oxygen Effect on Electronic Device Performance Original Research Article
Pages 619-667
H. Tsuya

Index
Pages 669-679





نظرات کاربران