Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers

دهه گذشته شاهد توسعه انفجاری در رشد لایه ها و ساختارهای برون محوری با ابعاد در مقیاس اتمی بوده است. این پیشرفت مطالبات جدیدی را برای توصیف آن ساختارها ایجاد کرده است. روش‌های مختلفی با تأکید اصلی بر خصوصیات غیر مخرب درجا، اصلاح شده و روش‌های جدیدی توسعه یافته‌اند. در این میان، روش هایی که بر تعامل تابش الکترومغناطیسی با ماده متکی هستند، بسیار ارزشمند هستند. در این کتاب روش‌های استانداردی مانند طیف‌سنجی مادون قرمز دور، بیضی‌سنجی، پراکندگی رامان و پراش پرتو ایکس با وضوح بالا و همچنین تکنیک‌های پیشرفته جدیدی ارائه شده است که پتانسیل را برای توصیف بهتر در محل ساختارهای همپایی (مانند طیف‌سنجی آنیستروپی بازتابی، طیف‌سنجی جذب-بازتابی فروسرخ، نسل دوم هارمونیک و موارد دیگر). این جلد برای محققانی که در دانشگاه ها یا در صنعت کار می کنند و همچنین برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی که علاقه مند به توصیف لایه های نیمه هادی هستند و برای کسانی که وارد این حوزه می شوند در نظر گرفته شده است. این دانش امروزی را خلاصه می کند و آخرین پیشرفت های مهم برای مطالعات قبلی و درجای آینده را مرور می کند.

The last decade has witnessed an explosive development in the growth of expitaxial layers and structures with atomic-scale dimensions. This progress has created new demands for the characterization of those stuctures. Various methods have been refined and new ones developed with the main emphasis on non-destructive in-situ characterization. Among those, methods which rely on the interaction of electromagnetic radiation with matter are particularly valuable. In this book standard methods such as far-infrared spectroscopy, ellipsometry, Raman scattering, and high-resolution X-ray diffraction are presented, as well as new advanced techniques which provide the potential for better in-situ characterization of epitaxial structures (such as reflection anistropy spectroscopy, infrared reflection-absorption spectroscopy, second-harmonic generation, and others). This volume is intended for researchers working at universities or in industry, as well as for graduate students who are interested in the characterization of semiconductor layers and for those entering this field. It summarizes the present-day knowledge and reviews the latest developments important for future ex-situ and in-situ studies.