دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
دانلود کتاب خصوصیات تحلیلی سطحی ناخالصی ها و اکسیدهای فلزی روی GaAs
مشخصات کتاب
Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
ویرایش: 1
نویسندگان: Frank Schröder-Oeynhausen (auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9783824420919, 9783322953650
ناشر: Deutscher Universitätsverlag
سال نشر: 1997
تعداد صفحات: 136
زبان: German
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 4 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 35,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب خصوصیات تحلیلی سطحی ناخالصی ها و اکسیدهای فلزی روی GaAs: نیمه هادی ها، فیزیک حالت جامد، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، اقتصاد/علوم مدیریت، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خصوصیات تحلیلی سطحی ناخالصی ها و اکسیدهای فلزی روی GaAs نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب خصوصیات تحلیلی سطحی ناخالصی ها و اکسیدهای فلزی روی GaAs
محتوای این کتاب توصیف دقیق سطح نیمه هادی های GaAs با توجه به ناخالصی های سطحی و لایه های اکسید غیرفعال می باشد. نویسنده روشی را برای تشخیص کمی عناصر کمیاب فلزی با استفاده از طیف‌سنجی جرمی یونی ثانویه زمان پرواز (TOF-SIMS) ایجاد کرده است که تشخیص کمی پوشش‌های سطحی GaAs با غلظت‌های کمتر از 109 اتم بر سانتی‌متر مربع را ممکن می‌سازد. مقایسه اکسیدهای غیرفعال با توجه به اجزای تشکیل دهنده، ساختار لایه و ضخامت آنها، مبنایی را برای تغییرات هدفمند در فرآیند تولید فراهم می کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages 1-11
Einleitung....Pages 13-16
Materialkunde....Pages 17-28
Verwendete oberflächenanalytische Methoden....Pages 29-50
Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs....Pages 51-74
Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs....Pages 75-121
Zusammenfassende Diskussion....Pages 122-123
Literaturverzeichnis....Pages 124-138
Back Matter....Pages 139-140
