Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs

محتوای این کتاب توصیف دقیق سطح نیمه هادی های GaAs با توجه به ناخالصی های سطحی و لایه های اکسید غیرفعال می باشد. نویسنده روشی را برای تشخیص کمی عناصر کمیاب فلزی با استفاده از طیف‌سنجی جرمی یونی ثانویه زمان پرواز (TOF-SIMS) ایجاد کرده است که تشخیص کمی پوشش‌های سطحی GaAs با غلظت‌های کمتر از 109 اتم بر سانتی‌متر مربع را ممکن می‌سازد. مقایسه اکسیدهای غیرفعال با توجه به اجزای تشکیل دهنده، ساختار لایه و ضخامت آنها، مبنایی را برای تغییرات هدفمند در فرآیند تولید فراهم می کند.

Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.