دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
دانلود کتاب ترانزیستور اثر میدانی دروازه نقطه کوانتومی سه حالته جدید: ساخت، مدلسازی و کاربردها
مشخصات کتاب
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
ویرایش: 1
نویسندگان: Supriya Karmakar (auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9788132216346, 9788132216353
ناشر: Springer India
سال نشر: 2014
تعداد صفحات: 147
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 4 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 45,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ترانزیستور اثر میدانی دروازه نقطه کوانتومی سه حالته جدید: ساخت، مدلسازی و کاربردها: نانوتکنولوژی و میکرومهندسی، مدارها و سیستم‌ها، مدارها و دستگاه‌های الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ترانزیستور اثر میدانی دروازه نقطه کوانتومی سه حالته جدید: ساخت، مدلسازی و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستور اثر میدانی دروازه نقطه کوانتومی سه حالته جدید: ساخت، مدلسازی و کاربردها
این کتاب ساخت و مدلسازی مدار ترانزیستور اثر میدان دروازه نقطه کوانتومی (QDGFET) و اینورتر NMOS گیت نقطه کوانتومی (اینورتر QDNMOS) را ارائه می‌کند. همچنین توسعه یک مدل مدار QDGFET بر اساس مدل IGFET کانال کوتاه برکلی (BSIM) را معرفی می کند. مدارهای منطقی سه تایی مختلف مبتنی بر QDGFET نیز در این کتاب بررسی شده است. مدارهای پیشرفته مانند مبدل سه بیتی و شش بیتی آنالوگ به دیجیتال (ADC) و مبدل دیجیتال به آنالوگ (DAC) نیز شبیه سازی شدند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-xiv
Introduction: Multistate Devices and Logic....Pages 1-6
Quantum Dot Gate Field-Effect Transistor: Device Structures....Pages 7-20
Quantum Dot Gate Field-Effect Transistors: Fabrication and Characterization....Pages 21-40
Quantum Dot Gate Field-Effect Transistors: Theory and Device Modeling....Pages 41-54
Quantum Dot Gate NMOS Inverter....Pages 55-63
Quantum Dot Gate Field-Effect Transistor (QDGFET): Circuit Model and Ternary Logic Inverter....Pages 65-80
Analog-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analog Converter (DAC) Using Quantum Dot Gate Field-Effect Transistor (QDGFET)....Pages 81-104
Performance in Sub-25-nm Range: Circuit Model, Ternary Logic Gates and ADC/DAC....Pages 105-126
Conclusions....Pages 127-128
Back Matter....Pages 129-134
