ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change

دانلود کتاب طراحی حافظه غیرفرار: مغناطیسی، مقاومتی و تغییر فاز

Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change

مشخصات کتاب

Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change

ویرایش:  
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781439807453, 1439807450 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2011 
تعداد صفحات: 200 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 32,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب طراحی حافظه غیرفرار: مغناطیسی، مقاومتی و تغییر فاز نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب طراحی حافظه غیرفرار: مغناطیسی، مقاومتی و تغییر فاز

تولید فلش مموری که فناوری حافظه غیر فرار غالب است، با موانع فنی مواجه است. به حدی که فناوری های دیگری به عنوان جایگزین پیشنهاد شده است. این کتاب سه نامزد امیدوارکننده را معرفی می‌کند: حافظه تغییر فاز، حافظه دسترسی تصادفی مغناطیسی، و حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing technical barriers. So much so, that other technologies have been proposed as alternatives. This book introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory.



فهرست مطالب


Content: 1 Introduction to Semiconductor Memories 1.1 Classification and Characterization of Semiconductor Memories 1.1.1 Read-Only Memories (ROMs) 1.1.2 Static Random Access Memories (SRAMs) 1.1.3 Dynamic Random Access Memories (DRAMs) 1.1.4 Non-Volatile Memories 1.1.5 Embedded Memories Design and Applications 1.2 The Devices 1.2.1 The Diode 1.2.2 The MOS(FET) Transistor 1.2.3 Passive Components 1.3 Designing Memory and Array Structures 1.3.1 Memory Architecture and Building Blocks 1.3.2 Memory Peripheral Circuitry 1.3.3 Redundancy and Error Correction Codes 1.3.4 Test Modes 1.3.5 Memory Reliability and Yield References 2 Phase Change Memory (PCM) 2. 1 Introduction of PCM 2.1.1 Phase Change Properties 2.1.2 History of PCM 2.2 Device Research 2.2.1 Bridge Cell 2.2.2 Pillar Cell 2.2.3 Pore Cell 2.2.4 Electro-thermal Modeling 2.3 Material Research 2.3.1 Ge2Sb2Te5 Alloys 2.3.2 N-Doped GST 2.3.3 Other Phase Change Materials 2.4 PCM Design Technique 2.4.1 Reset/Set Characteristics 2.4.2 Access device of PCM Bit Cell 2.4.3 Multi-level Cell 2.4.4 Program Algorithm 2.4.5 Peripheral Circuitry 2.5 Physical Limit of PCM 2.5.1 Bit Retention 2.5.2 Bit Endurance 2.5.3 Continue Moore\'s law References 3 Toggle-Mode MRAM (TM-MRAM) 3. 1 Overview of Magnetic Memories 3.2 Magnetic Tunneling Junction (MTJ) Technology 3.2.1 Basic Structure of MT J Stack 3.2.2 Conventional MT J Switching 3.3 Operation of Toggle-Mode 3.3.1 Savtchenko Switching 3.3.2 Reading from an Array 3.4 Manufacture Technology of TM-MRAM Bit Cell 3.4.1 MT J Deposition 3.4.2 BEOL and FEOL of TM-MRAM Bit Cell 3.4.3 Resistance Variation Control within Array 3.4.4 Barrier Uniformity Control 3.4.5 Interface Quality Control 3.5 Design Technique of TM-MRAM 3.5.1 Bit Selection from Array 3.5.2 Bit Resistance Distribution and Read Scheme 3.5.3 Toggle Switching Circuitry 3.5.4 Failures Mode, Redundancy and ECC 3.6 Reliability, Endurance and Scalability 3.6.1 Bit Disturb Margin 3.6.2 Thermal Reliability 3.6.3 Magnetic Stability 3.6.4 Endurance and Retention 3.6.5 Scalability at 130nm Technology and Beyond References 4 Spin-Torque Transfer RAM (STT -RAM) 4.1 Introduction of Spin-Torque Transfer technology 4.1.1 Spin-Torque Transfer Theory 4.1.2 Various STT -RAM Bit Cell Designs 4.2 Read and Write Scheme of STT-RAM 4.2.1 Magnetic Modeling 4.2.2 Switching Current Variation 4.2.3 Tunneling Magnetoresistance (TMR) and Sense Margin 4.3 Variations of STT-RAM Bit Cell 4.3.1 Sources of Switching Current Variation 4.3.2 Sources of MT J Resistance Variation 4.3.3 MOS Transistor Process Variation 4.3.4 Variation Control of STT -RAM Bit Cell 4.4 Design Technique of STT-RAM 4.4.1 STT -RAM Cell Design 4.4.2 Write Scheme Optimization for High Density 4.4.3 Reference and Sensing Scheme 4.4.4 Layout optimization 4.4.5 Peripheral Circuitry 4.4.6 Design for Embedded Application 4.5 Failure Modes in STT-RAM 4.5.1 Static Failure Modes 4.5.2 Random Failure Modes 4.5.3 Failures due to Process Variation 4.5.4 Failure Repair 4.6 Applications and Technology Trends of STT-RAM 4.6.1 Potential applications 4.6.2 Product Roadmap 4.6.3 Future Research References 5 Resistive RAM (R-RAM) 5. 1 Overview of R-RAM 5.1.1 Definition of R-RAM 5.1.2 Operation Schemes 5.2 Various Switching Mechanisms of R-RAM 5.2.1 Resistance Switching Models 5.2.2 Space Charge Limited Current 5.2.3 Filament 5.2.4 Programmable Metallization Cell (PMC) 5.2.5 Schottky Contact and Traps 5.2.6 Miscellaneous 5.3 R-RAM Design 5.3.1 Multi-level Cell (MLC) 5.3.2 Forming, Set/Reset Scheme 5.3.3 4F2 Cell 5.3.4 Unipolar and Bipolar Writing 5.3.5 Cross Point Memory Array 5.3.6 Special Circuitry for R-RAM 5.4 Technology Trend and Application of R-RAM 5.4.1 Endurance and Retention 5.4.2 Scalability 5.4.3 Material Challenges 5.4.4 Massive Storage based on R-RAM References 6 Memresistor 6. 1 Fourth Passive Circuit Element - Memresistor 6.1.1 History of Memresistor 6.1.2 Theory of Memresistor 6.2 R-RAM-like Memresistor 6.2.1 Titanium Dioxide as Memresistor 6.2.2 Other Options 6.3 Magnetic Memresistor 6.3.1 Spintronics Device as Memresistor 6.3.2 I-V Curve and Frequency Response 6.4 Applications and Future Trends 6.4.1 Memresistor Memory 6.4.2 Memresistor Logic References 7 The Future of Nonvolatile Memory 7. 1 Development Progress of Future Nonvolatile Memory Technologies 7.1.1 Review of current efforts in the world 7.1.2 Future research trend 7.2 Who will be the winner? 7.2.1 Semiconductor Memory Roadmap 7.2.2 Forecast References




نظرات کاربران