ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب New Research on Semiconductors

دانلود کتاب تحقیقات جدید در مورد نیمه هادی ها

New Research on Semiconductors

مشخصات کتاب

New Research on Semiconductors

دسته بندی: الکترونیک: رادیو
ویرایش: First. 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 1594549206, 9781594549205 
ناشر:  
سال نشر: 2006 
تعداد صفحات: 230 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 44,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 2


در صورت تبدیل فایل کتاب New Research on Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تحقیقات جدید در مورد نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب تحقیقات جدید در مورد نیمه هادی ها

این کتاب در محدوده خود شامل موارد زیر است: مطالعات خواص ساختاری، الکتریکی، نوری و صوتی نیمه هادی های حجیم، کم بعدی و آمورف. فیزیک نیمه هادی محاسباتی; ویژگی های رابط، از جمله فیزیک و شیمی اتصالات ناهمگون، اتصالات فلز-نیمه هادی و عایق-نیمه هادی. تمام ساختارهای چند لایه شامل اجزای نیمه هادی. الحاق ناخالصی؛ رشد و آماده‌سازی مواد، از جمله روش‌های اپیتاکسیال (مانند روش‌های پرتو مولکولی و بخار شیمیایی) و روش‌های حجیم. نظارت در محل فرآیندهای رشد همپایی، همچنین شامل جنبه‌های مناسب علوم سطحی مانند تأثیر سینتیک رشد و پردازش شیمیایی بر ویژگی‌های لایه و دستگاه است. فیزیک دستگاه های الکترونیکی و نوری نیمه هادی مورد بررسی قرار می گیرد که شامل مدل سازی نظری و نمایش تجربی و تمام جنبه های فن آوری دستگاه های نیمه هادی و ساخت مدار می شود. حوزه‌های مرتبط «الکترونیک مولکولی» و ساختارهای نیمه‌رسانا که شامل: فیلم‌های لانگمویر-بلاجت. مقاومت، لیتوگرافی و متالیزاسیون در جایی که آنها با تعریف ساختار هندسی کوچک سروکار دارند. مشخصات ساختاری، الکتریکی و نوری مواد و ساختار دستگاه نیز گنجانده شده است. دامنه شامل موارد زیر است: مواد و قابلیت اطمینان دستگاه. ارزیابی قابلیت اطمینان فناوری ها؛ تجزیه و تحلیل شکست و تکنیک های تجزیه و تحلیل پیشرفته مانند SEM، E-beam، میکروسکوپ انتشار نوری، تکنیک های میکروسکوپ صوتی. تکنیک های کریستال مایع؛ اندازه گیری نویز، پیش بینی قابلیت اطمینان و شبیه سازی؛ شاخص های قابلیت اطمینان؛ مکانیسم های شکست، از جمله مهاجرت بار، به دام انداختن، تجزیه اکسید، اثرات حامل داغ، مهاجرت الکتریکی، مهاجرت استرس. مکانیسم های خرابی مربوط به بسته. و اثرات تنش های عملیاتی و محیطی بر قابلیت اطمینان.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book includes within its scope: studies of the structural, electrical, optical and acoustical properties of bulk, low-dimensional and amorphous semiconductors; computational semiconductor physics; interface properties, including the physics and chemistry of heterojunctions, metal-semiconductor and insulator-semiconductor junctions; all multi-layered structures involving semiconductor components; dopant incorporation; growth and preparation of materials, including both epitaxial (e.g. molecular beam and chemical vapour methods) and bulk techniques; in situ monitoring of epitaxial growth processes, also included are appropriate aspects of surface science such as the influence of growth kinetics and chemical processing on layer and device properties. The physics of semiconductor electronic and optoelectronic devices are examined, including theoretical modelling and experimental demonstration and all aspects of the technology of semiconductor device and circuit fabrication. Relevant areas of 'molecular electronics' and semiconductor structures incorporating: Langmuir-Blodgett films; resists, lithography and metallisation where they are concerned with the definition of small geometry structure. The structural, electrical and optical characterisation of materials and device structures are also included. The scope encompasses: materials and device reliability; reliability evaluation of technologies; failure analysis and advanced analysis techniques such as SEM, E-beam, optical emission microscopy, acoustic microscopy techniques; liquid crystal techniques; noise measurement, reliability prediction and simulation; reliability indicators; failure mechanisms, including charge migration, trapping, oxide breakdown, hot carrier effects, electro-migration, stress migration; package- related failure mechanisms; and, effects of operational and environmental stresses on reliability.



فهرست مطالب

NEW RESEARCH ON SEMICONDUCTORS......Page 5
NOTICE TO THE READER......Page 6
CONTENTS......Page 7
PREFACE......Page 9
Abstract......Page 15
1 Introduction......Page 16
2.1 Rotationary Bridgman Method (RBM)......Page 17
2.2 Continuous Rotationary Feeding Bridgman Method (CFRBM)......Page 19
3 Growth of InXGa1XAs Ternary Bulk Crystals\n......Page 21
3.1 Direct Growth Method......Page 22
3.2 Multi-step Growth Method......Page 23
3.3 Effect of Ampoule-moving Rate\n......Page 25
3.4 Effect of Ampoule Rotation Rate......Page 27
4.1 Growth Morphology......Page 29
4.2 Composition Profiles......Page 30
4.3 Lattice Constant......Page 32
4.4 Formation of Domains in the InSb Seed Crystal......Page 33
4.5 Growth of InSb1-yBiy and In1-xGaxSb Ternary Crystals......Page 35
5.1 Numerical Analysis......Page 37
5.2 Analysis Results......Page 39
6 Conclusion......Page 41
Acknowledgment......Page 42
References......Page 43
Abstract......Page 45
Introduction......Page 46
1 Experimental......Page 50
2.1 Scheme Formation and Transformation Mechanism of Grown-in Microdefects in Silicon Single Crystals......Page 51
2.2 Quenched Crystals Study......Page 53
2.3 Physical Nature of the Grown-in Microdefects......Page 57
2.4 Interaction of Grown-in Microdefects with Radiation Defects......Page 62
2.5 Transformation of Grown-in Microdefects......Page 64
3.1 Formation Mechanism of the Grown-in Microdefects......Page 71
3.2 Grown-in Microdefects in Large-Diameter Silicon Crystals......Page 73
3.3 Physical Classification of the Grown-in Microdefects......Page 74
3.4 Formation Mechanisms of the Secondary Grown-in Microdefects......Page 77
4 Summary......Page 78
References......Page 79
Abstract......Page 83
2 Silicon as a Photovoltaic Material......Page 84
3 Silicon Phases......Page 85
4.1 Preparation Technologies......Page 87
4.3 Preparation Conditions......Page 88
5.1 Electrical Measurements......Page 89
5.2 AFM and TEM Studies......Page 92
5.3 X-ray and IR Studies......Page 95
5.4 Raman Studies......Page 96
5.5 Optical Measurements......Page 98
6 Laser-Induced Phase Transformation......Page 99
Acknowledgements......Page 106
References......Page 107
Abstract......Page 109
1 Introduction......Page 110
2 Conduction Band Profile and Electron Wavefunctions......Page 111
3 Electron Scattering Rates......Page 115
4 Monte Carlo Algorithm......Page 117
5 Hot Phonons......Page 122
6 Drift Velocity......Page 124
7 Electron Temperature and Noise Temperature......Page 127
8 Power Dissipation......Page 131
9 Conclusion......Page 132
References......Page 133
Abstract......Page 137
1 Introduction......Page 138
2 Experiments......Page 140
A Growth of High Quality ZnO Thin Filmes......Page 141
B Preparation of the p-type ZnO......Page 146
C Fabrication of the ZnO/GaN pn Heterojunction LED......Page 150
4 Conclusions......Page 153
References......Page 154
Introduction......Page 157
Experimental......Page 158
X-ray Diffraction Measurements......Page 159
Microdiffraction Measurements......Page 160
Microraman Spectra......Page 164
Luminescence Spectra......Page 166
Conclusion......Page 169
Acknowledgements......Page 170
References......Page 171
Abstract......Page 173
1.1 Background......Page 174
1.2 Objective of This Study......Page 181
2 Basic Properties of CuInSe2 and Solar Cell Structure......Page 182
3.1 Electrodeposition......Page 187
3.2 Annealing and Evaluation Methods......Page 191
4.1 Introduction......Page 192
4.2 Relationship between Compositions in the Films and That in the Baths......Page 193
4.3 Relationship between the In/Cu Ratio in the Film and Se(IV) Concentrationin the Bath......Page 194
4.4 Rate-Determination Step and Stirring Effects......Page 197
4.5 Dependences on Substrate Materials of Film Compositions......Page 200
4.7 Surface Morphology and its Improvement......Page 201
4.8 Effects of Annealing on Se Excess Films......Page 205
4.10 Conclusion......Page 207
5 New Electrodeposition Technique for Controlling Depth Profile of CuInSe2 Thin Films......Page 210
5.1 Introduction......Page 211
5.3 Results and Discussion......Page 212
6.1 Summary of this Work......Page 214
6.2 Suggestion for Future Works......Page 215
References......Page 216
INDEX......Page 223




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی