دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: 1 نویسندگان: Lachlan E. Black (auth.) سری: Springer Theses ISBN (شابک) : 9783319325200, 9783319325217 ناشر: Springer International Publishing سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 222 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 11 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب دیدگاه های جدید درباره سطح انفعال: درک رابط Si-Al2O3: الکترونیک قدرت، ماشینها و شبکههای الکتریکی، سطوح و رابطها، لایههای نازک، فناوری انرژی
در صورت تبدیل فایل کتاب New Perspectives on Surface Passivation: Understanding the Si-Al2O3 Interface به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دیدگاه های جدید درباره سطح انفعال: درک رابط Si-Al2O3 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب به مشکل غیرفعال شدن در سطح سلولهای خورشیدی سیلیکونی
کریستالی میپردازد. به طور خاص، این گزارش در مورد یک روش رسوب
گذاری با ظرفیت بالا و سازگار با صنعت برای Al2O3، امکان
استفاده از آن را برای سلول های خورشیدی تجاری می دهد. یکی از
تمرکز اصلی بر روی تجزیه و تحلیل فیزیک Al2O3 به عنوان یک دی
الکتریک غیرفعال برای سطوح سیلیکونی است. این از طریق یک مطالعه
جامع انجام می شود، که از خاص، مورد اکسید آلومینیوم روی
سیلیکون، به کلی، فیزیک نوترکیب سطح، حرکت می کند، و می تواند
نظریه را با عمل مرتبط کند، و کاربردهای تجاری مربوطه را برجسته
می کند.
/p>
The book addresses the problem of passivation at the surface
of crystalline silicon solar cells. More specifically, it
reports on a high-throughput, industrially compatible
deposition method for Al2O3, enabling its application to
commercial solar cells. One of the main focus is on the
analysis of the physics of Al2O3 as a passivating dielectric
for silicon surfaces. This is accomplished through a
comprehensive study, which moves from the particular, the
case of aluminium oxide on silicon, to the general, the
physics of surface recombination, and is able to connect
theory with practice, highlighting relevant commercial
applications.
Front Matter....Pages i-xxviii
Introduction....Pages 1-13
Surface Recombination Theory....Pages 15-28
Al \(_2\) O \(_3\) Deposition and Characterisation....Pages 29-40
Electrical Properties of the Si–Al \(_{2}\) O \(_{3}\) Interface....Pages 41-65
Influence of Deposition Parameters....Pages 67-77
Effect of Post-Deposition Thermal Processing....Pages 79-96
Effect of Surface Dopant Concentration....Pages 97-139
Effect of Surface Orientation and Morphology....Pages 141-153
Relationship Between Al \(_{2}\) O \(_{3}\) Bulk and Interface Properties....Pages 155-176
Conclusion....Pages 177-180
Back Matter....Pages 181-204