ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب New Insulators, Devices and Radiation Effects

دانلود کتاب عایق های جدید، دستگاه ها و اثرات تشعشع

New Insulators, Devices and Radiation Effects

مشخصات کتاب

New Insulators, Devices and Radiation Effects

ویرایش: 1st 
نویسندگان:   
سری: Instabilities in Silicon Devices 3 
ISBN (شابک) : 0444818014, 9780080534763 
ناشر: Elsevier, Academic Press 
سال نشر: 1999 
تعداد صفحات: 967 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 50 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 54,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب New Insulators, Devices and Radiation Effects به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب عایق های جدید، دستگاه ها و اثرات تشعشع نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب عایق های جدید، دستگاه ها و اثرات تشعشع

امروزه فناوری سیلیکون اساس صنعت قطعات چند میلیارد دلاری در سراسر جهان را تشکیل می دهد. دلیل این انبساط را نه تنها می توان در خواص فیزیکی سیلیکون، بلکه در خواص منحصر به فرد رابط سیلیسیم-دی اکسید سیلیکون نیز جستجو کرد. با این حال، دستگاه های سیلیکونی هنوز در معرض پدیده های الکتریکی ناخواسته ای به نام "ناپایداری" هستند. اینها بیشتر به دلیل ماهیت ناقص عایق های مورد استفاده، به دلیل رابط نه چندان عالی سیلیکون-عایق و به دلیل ایجاد عیوب و پدیده های یونیزاسیون ناشی از تشعشعات است. مشکل ناپایداری ها در این جلد، سومین جلد بررسی شده است. این سری کتاب.جلد 3 مطالب ارائه شده در دو جلد قبلی را به روز و تکمیل می کند و پنج فصل را به مشکلات تابش-ماده و برهمکنش پرتو-دستگاه اختصاص می دهد. این حجم به تولیدکنندگان مدار و کاربران مدار کمک می‌کند تا پارامترها و ویژگی‌های الکتریکی ناپایدار را با وجود نقص‌ها و ناخالصی‌های فیزیکی یا محیط تشعشعی که باعث ایجاد آنها شده است، مرتبط کنند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Silicon technology today forms the basis of a world-wide, multi-billion dollar component industry. The reason for this expansion can be found not only in the physical properties of silicon but also in the unique properties of the silicon-silicon dioxide interface. However, silicon devices are still subject to undesired electrical phenomena called "instabilities". These are due mostly to the imperfect nature of the insulators used, to the not-so-perfect silicon-insulator interface and to the generation of defects and ionization phenomena caused by radiation.The problem of instabilities is addressed in this volume, the third of this book series.Vol.3 updates and supplements the material presented in the previous two volumes, and devotes five chapters to the problems of radiation-matter and radiation-device interactions. The volume will aid circuit manufacturers and circuit users alike to relate unstable electrical parameters and characteristics to the presence of physical defects and impurities or to the radiation environment which caused them.



فهرست مطالب

Content: 
The editors
Page vii

Foreword
Pages ix-xi
George C. Messenger

Introduction to volume 3
Pages xiii-xvi

List of contributors
Pages xix-xx

The authors
Pages xxi-xxvii

Foreword
Page 2

Chapter 1 Silica, silicon nitride and oxynitride thin films: An overview of fabrication techniques, properties and applications Review Article
Pages 3-144
B. Balland, A. Glachant

Chapter 2 A review of buried oxide structures and SOI technologies Review Article
Pages 145-231
J.-L. Leray

Chapter 3 Dielectric breakdown in SiO2: A survey of test methods Review Article
Pages 233-263
D.R. Wolters, J.F. Verwey, A.T.A. Zegers-Van Duijnhoven

Chapter 4 Hot carrier injections in SIO2 and related instabilities in submicrometer mosfets Review Article
Pages 265-339
D. Vuillaume

Chapter 5 Multilayer dielectrics for memory applications Review Article
Pages 341-404
P. Gentil

Chapter 6 Charge pumping techniques: Their use for diagnosis and interface states studies in MOS transistors Review Article
Pages 405-493
J.L. Autran, B. Balland, G. Barbottin

Chapter 7 The study of thermal nitridation and reoxidation mechanisms using isotopic tracing methods Review Article
Pages 495-520
J.-J. Ganem, J.J.R. Baumvol

Foreword
Page 523

Chapter 8 The space radiation environment Review Article
Pages 525-552
D. Bräunig

Chapter 9 An overview of radiation-matter interactions Review Article
Pages 553-637
W.R. Fahrner

Chapter 10 Radiation effects in electronic components Review Article
Pages 639-722
D. Bräunig, F. Wulf

Chapter 11 Defects and radiation-induced charge-trapping phenomena in SiO2 Review Article
Pages 723-780
P. Paillet, J.L. Leray

Chapter 12 The effects of cosmic ions on electronic components Review Article
Pages 781-890
O. Musseau

Authors index
Pages 891-915

Subject index
Pages 917-933

List of errata to volume 1 of instabilities in silicon devices silicon passivation and related instabilities
Pages 935-938





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی