دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.]
نویسندگان: George Ferenczi. F. Beleznay
سری: LNP0301
ISBN (شابک) : 3540192158, 9783540192152
ناشر: Springer
سال نشر: 1988
تعداد صفحات: 307
زبان: English
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 2 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب New Developments in Semiconductor Physics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تحولات جدید در فیزیک نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد شامل مقالات منتخبی است که در مدرسه تابستانی فیزیک نیمه هادی ها در Szeged (مجارستان) ارائه شده است. آنها حوزه های فناوری رشد چندلایه، نظریه حالات الکترونی، تئوری انتقال، اثرات مربوط به نقص و خواص ساختاری نیمه هادی ها را پوشش می دهند. این کتاب به فیزیکدانان و همچنین مهندسان می پردازد.
This volume contains selected papers presented at the summer school on semiconductor physics in Szeged (Hungary). They cover the areas of multilayer growth technology, theory of electron states, transport theory, defect related effects and structural properties of semiconductors. The book addresses physicists as well as engineers.
Integer quantum hall effect....Pages 1-18
Theory of the energy loss rate of hot electrons in 2D systems....Pages 19-25
The transport problem....Pages 26-38
Cyclotron resonance of quasi-two-dimensional polarons....Pages 39-54
On the concentration dependence of the thermal activation energy of impurities in semicondectors....Pages 55-60
The use of hydrostatic pressure and alloying to introduce deep levels in the forbidden gap of InSb and GaAS....Pages 61-74
Electronic structure of complex defects in silicon....Pages 75-94
Electron microscopy in semiconductor physics....Pages 95-114
Determination of the lateral defect distribution by SDLTS in GaAs....Pages 115-119
Formation of ribbon-like defects during low-temperature annealing of Czochralski-grown silicon....Pages 120-125
Band-edge offsets in semiconductor heterojunctions....Pages 126-142
Defect dynamics in crystalline and amorphous silicon....Pages 143-146
On the diffusion of oxygen in a silicon crystal....Pages 147-156
Hexagonal site interstitial related states in silicon....Pages 157-162
The diffusion and electronic structure of hydrogen in silicon....Pages 163-174
Spectroscopic studies of point defects in silicon and germanium....Pages 175-200
Deep levels in Cz-Si due to heat treatment at 600...900 °C....Pages 201-210
Interpretation of the electric field dependent thermal emission data of deep traps....Pages 211-215
Electrochemical characterization of GaAs and its multilayer structure materials....Pages 216-231
Positron study of defects in GaAs....Pages 232-238
Deep level profiling technique in the semiconductor of MIS structure....Pages 239-243
Transition metal impurities in silicon....Pages 244-261
Electronic properties of pairs of shallow acceptors with iron or manganese in silicon....Pages 262-267
MOCVD technology....Pages 268-280
Epitaxial growth of PBTE doping superlattices on (111) BaF 2 and (100) GaAs....Pages 281-285
Energy distribution of interface states in GaAs-Cr/Au Schottky contacts obtained from I–V characteristics....Pages 286-293
Surface work function transients of tunnel SIO 2 -SI structures....Pages 294-301