Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials

viii استفاده روزافزون از سیلیکون NTD در خارج از ایالات متحده، انگیزه برگزاری کنفرانس بعدی NTD در اروپا را برانگیخت. بنابراین، سومین کنفرانس بین المللی در مورد سیلیکون دوپ شده با تبدیل نوترون توسط ینس گولدبرگ سازماندهی شد و در 27 تا 29 اوت 1980 در کپنهاگ، دانمارک برگزار شد. از کنفرانس قبلی و شامل مقالاتی در مورد فناوری تابش، نقص های ناشی از تشعشع، خصوصیات سیلیکون NTD، و استفاده از سیلیکون NTD برای کاربردهای دستگاه بود. مجموعه مقالات این کنفرانس توسط ینس گولدبرگ ویرایش و توسط Plenum Press در سال 1981 منتشر شد. علاقه و استفاده تجاری از سیلیکون NTD پس از سومین کنفرانس NTD همچنان رو به افزایش بود و تحقیقات در مورد دوپینگ جهش ترانس نوترونی نیمه هادی های غیرسیلیکونی آغاز شد. سرعت بخشیدن. چهارمین کنفرانس بین‌المللی دوپینگ تغییر شکل گزارش‌شده در این جلد شامل مقالات دعوت‌شده‌ای است که خلاصه‌ای از حال و آینده پیش‌بینی‌شده سیلیکون NTD، پردازش و خصوصیات سیلیکون NTD، و استفاده از سیلیکون NTD در دستگاه‌های قدرت نیمه‌رسانا است. علاوه بر این، چهار مقاله در مورد NTD نیمه هادی های غیرسیلیکونی، پنج مقاله در مورد فناوری تابش اشعه، سه مقاله در مورد استفاده عملی از سیلیکون NTD، چهار مقاله در مورد خصوصیات سیلیکون NTD، و پنج مقاله در مورد آسیب نوترونی و بازپخت ارسال شد. این مقالات نشان می‌دهند که فناوری تابش سیلیکون NTD و استفاده از آن توسط صنعت تجهیزات برقی در حال نزدیک شدن به بلوغ است.

viii The growing use of NTD silicon outside the U. S. A. motivated an interest in having the next NTD conference in Europe. Therefore, the Third International Conference on Neutron Transmutation-Doped Silicon was organized by Jens Guldberg and held in Copenhagen, Denmark on August 27-29, 1980. The papers presented at this conference reviewed the developments which occurred during the t'A'O years since the previous conference and included papers on irradiation technology, radiation-induced defects, characteriza­ tion of NTD silicon, and the use of NTD silicon for device appli­ cations. The proceedings of this conference were edited by Jens Guldberg and published by Plenum Press in 1981. Interest in, and commercial use of, NTD silicon continued to grow after the Third NTD Conference, and research into neutron trans­ mutation doping of nonsilicon semiconductors had begun to accel­ erate. The Fourth International Transmutation Doping Conference reported in this volume includes invited papers summarizing the present and anticipated future of NTD silicon, the processing and characterization of NTD silicon, and the use of NTD silicon in semiconductor power devices. In addition, four papers were pre­ sented on NTD of nonsilicon semiconductors, five papers on irra­ diation technology, three papers on practical utilization of NTD silicon, four papers on the characterization of NTD silicon, and five papers on neutron damage and annealing. These papers indi­ cate that irradiation technology for NTD silicon and its use by the power-device industry are approaching maturity.