دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
دانلود کتاب دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها
مشخصات کتاب
Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
ویرایش: 1 نویسندگان: J. M. Meese (auth.), Jon M. Meese (eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781468482515, 9781468482492 ناشر: Springer US سال نشر: 1979 تعداد صفحات: 367 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 33,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها: نیمه هادی ها، مهندسی برق
در صورت تبدیل فایل کتاب Neutron Transmutation Doping in Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها
این جلد شامل مقالات دعوت شده و ارائه شده در دومین کنفرانس بین المللی در مورد دوپینگ تبدیل نوترون در نیمه هادی ها است که در 23 تا 26 آوریل 1978 در دانشگاه میسوری-کلمبیا برگزار شد. اولین سمپوزیوم "آزمایش آب ها" در مورد این موضوع توسط جان کلیلند و دیک وود از بخش حالت جامد آزمایشگاه ملی اوک ریج در آوریل 1976 سازماندهی شد، درست یک سال پس از ظهور NTD-سیلیکون در بازار. از اولین جلسه، NTD-سیلیکون به عنوان ماده اولیه برای صنعت دستگاه های قدرت شناخته شده است و تابش راکتور اکنون در ده ها تن ماده در سال اندازه گیری می شود و پردازش NTD را به بزرگترین فناوری اثرات تشعشع در صنعت نیمه هادی تبدیل می کند. از اولین کنفرانس در Oak Ridge، کاربردهای جدید و تکنیک های تابش توسعه یافته است. علاقه به کنفرانس دوم و انتشار مقالات بسیار زیاد بوده است. دومین کنفرانس در دانشگاه میسوری با حضور 114 نفر برگزار شد. تقریباً 20٪ از شرکت کنندگان از کشورهای خارج از ایالات متحده بودند و این کنفرانس را واقعاً بین المللی از نظر وسعت کرد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This volume contains the invited and contributed papers presented at the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors held April 23-26, 1978 at the University of Missouri-Columbia. The first "testing of the waters" symposium on this subject was organized by John Cleland and Dick Wood of the Solid-State Division of Oak Ridge National Laboratory in April of 1976, just one year after NTD-silicon appeared on the marketplace. Since this first meeting, NTD-silicon has become established as the starting material for the power device industry and reactor irradiations are now measured in tens of tons of material per annum making NTD processing the largest radiation effects technology in the semiconductor industry. Since the first conference at Oak Ridge, new applications and irradiation techniques have developed. Interest in a second con ference and in publishing the proceedings has been extremely high. The second conference at the University of Missouri was attended by 114 persons. Approximately 20% of the attendees came from countries outside the U.S.A. making the conference truly interna tional in scope.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-x
The NTD Process—A New Reactor Technology....Pages 1-10
Detection and Identification of Potential Impurities Activated by Neutron Irradiation of Czochralski Silicon....Pages 11-26
Nuclear Transmutation Doping from the Viewpoint of Radioactivity Formation....Pages 27-36
Application of NTD Silicon for Power Devices....Pages 37-45
The Advantages of NTD Silicon for High Power Semiconductor Devices....Pages 47-52
NTD Silicon on High Power Devices....Pages 53-63
Role of Neutron Transmutation in the Development of High Sensitivity Extrinsic Silicon IR Detector Material....Pages 65-90
Study of the Spatial Characteristics of the Breakdown Process in Silicon PN-Junctions....Pages 91-108
Resistivity Fluctuations in Highly Compensated NTD Silicon....Pages 109-128
Transistor Gain Trimming in I 2 L Integrated Circuits Using the NTD Process....Pages 129-141
Determination of the Neutron Flux and Energy Spectrum and Calculation of Primary Recoil and Damage-Energy Distributions for Materials Irradiated in the Low Temperature Fast-Neutron Facility in CP-5....Pages 143-155
Neutron Doping of Silicon in the Harwell Research Reactors....Pages 157-163
Silicon Irradiation Facilities at the NBS Reactor....Pages 165-170
General Electric Test Reactor NTD Silicon Development Program....Pages 171-179
An Automated Irradiation Facility for Neutron Doping of Large Silicon Ingots....Pages 181-195
High Precision Irradiation Techniques for NTD Silicon at the University of Missouri Research Reactor....Pages 197-214
A Computer Controlled Irradiation System for the University of Missouri Research Reactor....Pages 215-228
Atomic Displacement Effects in Neutron Transmutation Doping....Pages 229-248
The Minority Carrier Lifetime of Neutron Doped Silicon....Pages 249-259
Electrical Property Studies of Neutron Transmutation Doped Silicon....Pages 261-279
Defect Annealing Studies in Neutron Transmutation Doped Silicon....Pages 281-290
Isochronal Annealing of Resistivity in Float Zone and Czochralski NTD Silicon....Pages 291-305
Electron Spin Resonance in NTD Silicon....Pages 307-316
Defect Levels Controlling the Behavior of NTD Silicon During Annealing....Pages 317-328
Residual Radioactivity Measurements for High Purity Silicon Irradiated by Pile Neutrons....Pages 329-331
Magneto-Optical Study of Shallow Donors in Transmutation-Doped GaAs....Pages 333-333
Shallow Defect Levels in Neutron Irradiated Extrinsic P-Type Silicon....Pages 335-343
Measurements of 3 1 P Concentrations Produced by Neutron Transmutation Doping of Silicon....Pages 345-354
“Pursuit of the Ultimate Junction”....Pages 355-358
Back Matter....Pages 359-371
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب American Art Since 1945
دانلود کتاب Proceedings of the Raw Materials for Refractories Conference: Ceramic Engineering and Science Proceedings, Volume 4, Issue 1/2
