ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Nanoscale VLSI: Devices, Circuits and Applications

دانلود کتاب مقیاس نانو VLSI: دستگاه ها ، مدارها و برنامه ها

Nanoscale VLSI: Devices, Circuits and Applications

مشخصات کتاب

Nanoscale VLSI: Devices, Circuits and Applications

ویرایش: 1st ed. 
نویسندگان:   
سری: Energy Systems in Electrical Engineering 
ISBN (شابک) : 9789811579363, 9789811579370 
ناشر: Springer Singapore;Springer 
سال نشر: 2020 
تعداد صفحات: 319 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 16 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 30,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد



کلمات کلیدی مربوط به کتاب مقیاس نانو VLSI: دستگاه ها ، مدارها و برنامه ها: مهندسی، مدارها و سیستم ها، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، نانوتکنولوژی و مهندسی میکرو



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب Nanoscale VLSI: Devices, Circuits and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مقیاس نانو VLSI: دستگاه ها ، مدارها و برنامه ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مقیاس نانو VLSI: دستگاه ها ، مدارها و برنامه ها



این کتاب روش‌های طراحی دستگاه‌های VLSI، مدارها و کاربردهای آن‌ها را در سطوح نانو توضیح می‌دهد. این کتاب با بحث در مورد نقش غالب اتلاف توان در دستگاه‌های با مقیاس بالا آغاز می‌شود. 15 فصل کتاب در چهار بخش طبقه‌بندی شده است که طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی نیمه‌رساناهای الکترونیکی، مغناطیسی و مرکب را برای کاربردهای آن‌ها در دستگاه‌های VLSI پوشش می‌دهد. ، مدارها و سیستم ها این جلد جامع روش‌های طراحی را برای طراحی VLSI با توان فوق‌العاده کم، دستگاه‌های بالقوه پس از CMOS و کاربردهای آن‌ها از دیدگاه معماری و سیستم به شیوایی ارائه می‌کند. این کتاب باید به عنوان یک کتاب مرجع ارزشمند برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی، Ph.D. / M.S. / M.Tech باشد. محققین، محققان و مهندسان شاغل در حوزه های مرزی طراحی VLSI در مقیاس نانو.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book describes methodologies in the design of VLSI devices, circuits and their applications at nanoscale levels. The book begins with the discussion on the dominant role of power dissipation in highly scaled devices.The 15 Chapters of the book are classified under four sections that cover design, modeling, and simulation of electronic, magnetic and compound semiconductors for their applications in VLSI devices, circuits, and systems. This comprehensive volume eloquently presents the design methodologies for ultra–low power VLSI design, potential post–CMOS devices, and their applications from the architectural and system perspectives. The book shall serve as an invaluable reference book for the graduate students, Ph.D./ M.S./ M.Tech. Scholars, researchers, and practicing engineers working in the frontier areas of nanoscale VLSI design.



فهرست مطالب

Front Matter ....Pages i-xiii
Front Matter ....Pages 1-1
Low-Voltage Analog Integrated Circuit Design (Deepika Gupta)....Pages 3-22
Design Methodology for Ultra-Low-Power CMOS Analog Circuits for ELF-SLF Applications (Soumya Pandit)....Pages 23-43
Orthogonally Controllable VQO for Low-Voltage Applications (Bhartendu Chaturvedi, Jitendra Mohan, Atul Kumar)....Pages 45-63
Low Power Design Techniques for Integrated Circuits (Bipin Chandra Mandi)....Pages 65-80
Front Matter ....Pages 81-81
Bilayer Graphene Nanoribbon Tunnel FET for Low-Power Nanoscale IC Design (Vobulapuram Ramesh Kumar, Uppu Madhu Sai Lohith, Shaik Javid Basha, M. Ramana Reddy)....Pages 83-100
A Threshold Voltage Model for SiGe Source/Drain Silicon-Nanotube-Based Junctionless Field-Effect Transistor (Anchal Thakur, Rohit Dhiman)....Pages 101-112
III-V Nanoscale Quantum-Well Field-Effect Transistors for Future High-Performance and Low-Power Logic Applications (J. Ajayan, D. Nirmal)....Pages 113-137
FinFET: A Beginning of Non-planar Transistor Era ( Kajal, Vijay Kumar Sharma)....Pages 139-159
Front Matter ....Pages 161-161
Gallium Nitride—Emerging Future Technology for Low-Power Nanoscale IC Design (Sahil Sankhyan, Tarun Chaudhary, Gargi Khanna, Rajeevan Chandel)....Pages 163-171
A Low-Power Hybrid VS-CNTFET-CMOS Ring Voltage-Controlled Oscillator Using Current Starved Power Switching Technology (Ashish Raman, Vikas Kumar Malav, Ravi Ranjan, R. K. Sarin)....Pages 173-202
Chip-Level Optical Interconnect in Electro-optics Platform (Sajal Agarwal, Y. K. Prajapati)....Pages 203-223
Emerging Graphene FETs for Next-Generation Integrated Circuit Design (Yash Agrawal, Eti Maheshwari, Mekala Girish Kumar, Rajeevan Chandel)....Pages 225-237
Front Matter ....Pages 239-239
Power and Area-Efficient Architectural Design Methodology for Nanomagnetic Computation (Santhosh Sivasubramani, Sanghamitra Debroy, Amit Acharyya)....Pages 241-270
Design Space Exploration of DSP Hardware Using Adaptive PSO and Bacterial Foraging for Power/Area-Delay Trade-Off (Anirban Sengupta, Mahendra Rathor, Pallabi Sarkar)....Pages 271-293
Register-Transfer-Level Design for Application-Specific Integrated Circuits (Dilip Singh, Rajeevan Chandel)....Pages 295-319




نظرات کاربران