دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Ferry. David K., Oda. Shunri سری: ISBN (شابک) : 9781482228687, 1482228688 ناشر: CRC Press سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 301 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 25 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Nanoscale silicon devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دستگاه های سیلیکونی در مقیاس نانو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
آیا بزرگتر همیشه بهتر است؟ رفتار دستگاه های بسیار کوچک را که توسط مکانیک کوانتومی توضیح داده شده است، بررسی کنید وقتی صحبت از ترانزیستور نیمه هادی به میان می آید، کوچکتر بهتر است. دستگاههای سیلیکونی در مقیاس نانو رشد کوچکسازی دستگاههای نیمهرسانا و پیشرفتهای مرتبط در طراحی مواد، دستگاه، مدار و سیستم را بررسی میکند و استفاده از مقیاسگذاری دستگاه را در صنعت نیمهرساناها برجسته میکند. مقیاس گذاری دستگاه، عمل کاهش مداوم اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET) به طور قابل توجهی عملکرد رایانه های کوچک، تلفن های همراه و دستگاه های مشابه را بهبود بخشیده است. این عمل منجر به زمان تاخیر کمتر و چگالی دستگاه بالاتر در یک تراشه بدون افزایش مصرف انرژی شده است. این کتاب پیشرفتهای اخیر را پوشش میدهد و چشمانداز آینده دستگاههای سیلیکونی در مقیاس نانو (Si) را در نظر میگیرد. مقدمه ای بر مفاهیم جدید (از جمله تنوع در ماسفت های مقیاس شده، اثرات حرارتی، سیستم های محاسباتی غیرفرار مبتنی بر اسپینترونیک، کیوبیت های مبتنی بر اسپین، دستگاه های مغناطیسی الکتریکی، دستگاه های NEMS، FET های تونلی، مهندسی ناخالصی، و انتقال تک الکترون)، مواد جدید را ارائه می دهد. (مانند دی الکتریک های باکیفیت بالا و ژرمانیوم)، و ساختارهای جدید دستگاه در سه بعدی. اصول اولیه چنین دستگاههایی را پوشش میدهد، فیزیک و مدلسازی این دستگاهها را توصیف میکند و از مقیاسبندی بیشتر دستگاه و به حداقل رساندن مصرف انرژی در مدارهای مجتمع بزرگ مقیاس آینده (VLSI) حمایت میکند. پوشش اضافی شامل موارد زیر است: فیزیک دستگاه های با مقیاس نانومتر از نظر مکانیک کوانتومی ترانزیستورهای سه بعدی پیشرفته: ساختار سه گیت و اثرات حرارتی تنوع در ماسفت مقیاس شده Spintronics در پلت فرم Si دستگاه های NEMS برای سوئیچینگ، حافظه و کاربردهای حسگر مفهوم حمل و نقل بالستیک در حال حاضر وضعیت تغییرپذیری ترانزیستور و موارد دیگر یک منبع ضروری، دستگاه های سیلیکونی در مقیاس نانو به مهندسان دستگاه و محققان دانشگاهی (از جمله دانشجویان فارغ التحصیل) در زمینه دستگاه های الکترونی، فیزیک حالت جامد و فناوری نانو خدمت می کند.
Is Bigger Always Better? Explore the Behavior of Very Small Devices as Described by Quantum Mechanics Smaller is better when it comes to the semiconductor transistor. Nanoscale Silicon Devices examines the growth of semiconductor device miniaturization and related advances in material, device, circuit, and system design, and highlights the use of device scaling within the semiconductor industry. Device scaling, the practice of continuously scaling down the size of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), has significantly improved the performance of small computers, mobile phones, and similar devices. The practice has resulted in smaller delay time and higher device density in a chip without an increase in power consumption. This book covers recent advancements and considers the future prospects of nanoscale silicon (Si) devices. It provides an introduction to new concepts (including variability in scaled MOSFETs, thermal effects, spintronics-based nonvolatile computing systems, spin-based qubits, magnetoelectric devices, NEMS devices, tunnel FETs, dopant engineering, and single-electron transfer), new materials (such as high-k dielectrics and germanium), and new device structures in three dimensions. It covers the fundamentals of such devices, describes the physics and modeling of these devices, and advocates further device scaling and minimization of energy consumption in future large-scale integrated circuits (VLSI). Additional coverage includes: Physics of nm scaled devices in terms of quantum mechanics Advanced 3D transistors: tri-gate structure and thermal effects Variability in scaled MOSFET Spintronics on Si platform NEMS devices for switching, memory, and sensor applications The concept of ballistic transport The present status of the transistor variability and more An indispensable resource, Nanoscale Silicon Devices serves device engineers and academic researchers (including graduate students) in the fields of electron devices, solid-state physics, and nanotechnology.