Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films

این کتاب پیشرفت‌های اخیر در زمینه علم نانومقیاس و مهندسی لایه‌های نازک فروالکتریک را ارائه می‌کند. این شامل دو بخش اصلی است، یعنی مشخصه الکتریکی در خازن فروالکتریک در مقیاس نانو، و دستکاری و تجسم حوزه نانو در مواد فروالکتریک. از متخصصان مشهور در دانشگاه و صنعت مرتبط در سراسر جهان (ایالات متحده، ژاپن، آلمان، سوئیس، کره) دعوت شد تا در هر فصل مشارکت کنند. بخش اول تحت عنوان مشخصات الکتریکی در خازن های فروالکتریک در مقیاس نانو با فصل 1، "آزمایش و مشخصه سازی خازن های لایه نازک فروالکتریک" نوشته دکتر I. K. Yoo شروع می شود. نویسنده مروری جامع بر مفاهیم و اصطلاحات اساسی خواص فروالکتریک و روش های آزمایش آنها ارائه می دهد. این فصل همچنین مسائل مربوط به قابلیت اطمینان در FeRAM ها را پوشش می دهد که برای تجاری سازی محصولات حافظه با چگالی بالا بسیار مهم هستند. در فصل 2، "اثرات اندازه در خازن های فیلم فروالکتریک: نقش ضخامت لایه و اندازه خازن"، دکتر I. Stolichnov اثرات اندازه را در ابعاد درون صفحه و خارج از صفحه لایه نازک فروالکتریک مورد بحث قرار می دهد. نویسنده با موفقیت عملکرد الکتریکی و دینامیک دامنه را با مدل‌های پیشنهادی تزریق بار و انتقال فاز ناشی از استرس مرتبط می‌کند. یافته های نویسنده هم یک مشکل چالش برانگیز و هم سرنخی برای راه حل آن برای پیش بینی قابل اعتماد خواص سوئیچینگ برای خازن های فروالکتریک فوق نازک ارائه می دهد. در فصل 3، \"لایه های نازک فروالکتریک برای کاربردهای حافظه: تعیین خصوصیات در مقیاس نانو با میکروسکوپ نیروی روبشی\" پروفسور A.

This book presents the recent advances in the field of nanoscale science and engineering of ferroelectric thin films. It comprises two main parts, i.e. electrical characterization in nanoscale ferroelectric capacitor, and nano domain manipulation and visualization in ferroelectric materials. Well­ known le'adingexperts both in relevant academia and industry over the world (U.S., Japan, Germany, Switzerland, Korea) were invited to contribute to each chapter. The first part under the title of electrical characterization in nanoscale ferroelectric capacitors starts with Chapter 1, "Testing and characterization of ferroelectric thin film capacitors," written by Dr. I. K. Yoo. The author provides a comprehensive review on basic concepts and terminologies of ferroelectric properties and their testing methods. This chapter also covers reliability issues in FeRAMs that are crucial for commercialization of high­ density memory products. In Chapter 2, "Size effects in ferroelectric film capacitors: role ofthe film thickness and capacitor size," Dr. I. Stolichnov discusses the size effects both in in-plane and out-of-plane dimensions of the ferroelectric thin film. The author successfully relates the electric performance and domain dynamics with proposed models of charge injection and stress induced phase transition. The author's findings present both a challenging problem and the clue to its solution of reliably predicting the switching properties for ultra-thin ferroelectric capacitors. In Chapter 3, "Ferroelectric thin films for memory applications: nanoscale characterization by scanning force microscopy," Prof. A.