دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Khurshed Ahmad Shah (Author), Farooq Ahmad Khanday (Author) سری: ISBN (شابک) : 9780367808624, 9781000163520 ناشر: CRC Press سال نشر: 2020 تعداد صفحات: 237 زبان: فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 9 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
در صورت تبدیل فایل کتاب Nanoscale Electronic Devices and Their Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دستگاه های الکترونیکی در مقیاس نانو و کاربردهای آنها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
1. Fundamentals of Nanoscale Electronic Devices
1.0 Introduction
1.1 Free Electron theory and Quantum theory
1.2 Origin of band gap in solids
1.3 Tight binding approximation
1.4 Low dimensional materials
1.5 Quantum confinement in low dimensional materials
1.6 Density of states in bulk materials
1.7 Density of states in 2D, 1D and 0D materials
1.8 Examples of 0D, 1D and 2D materials
1.9 Non-Equilibrium green’s Function (NEGF)
1.10 Density Function Theory (DFT)
1.11 Summary
1.12 References
2. Carbon Nanotubes and their Device Applications
2.0 Introduction
2.1 Physical properties of Carbon nanotubes (CNTs)
2.2 Ballistic transport and Quantum conductance in CNTs
2.3 CNT two probe devices
2.4 CNT Field Effect Transistors (CNT-FETs)
2.5 CNT logic gates
2.6 CNT sensors
2.7 CNT photo-detectors and Photoresistors
2.8 CNT Interconnects
2.9 CNT memories
2.10 Summary
2.11 References
3. Electronic Transport Properties of Doped Carbon Nanotube Devices
3.0 Introduction
3.1 Doping methods and techniques
3.2 Transport properties of two probe CNT devices
3.3 Effects of doping on electronic transport properties of two probe CNT systems
3.4 Negative Differential Resistance (NDR) in CNT-FET and CNT-MOSFET
3.5 NDR in chromium doped single walled carbon nanotube devices
3.6 Comparative study of conventional and electrical doping in CNT devices
3.7 Transport properties of CNT bio-molecule sensors
3.8 Summary
3.9 References
4. Field Effect Transistors Based on Graphene and Other Popular Two Dimensional Materials
4.0 Introduction
4.1 Graphene Field Effect Transistors (GFETs)
4.2 Molybdenum disulphide Field Effect Transistors (MoS2-FETs)
4.3 Molybdenum Selenide Field Effect Transistors (MOSe2 –FETs)
4.4 Tungsten disulphide Field Effect Transistors (WS2-FETs)
4.5 Silicene Field and Germenene Effect Transistors
4.6 Summary
4.7 References
5. Gate and Channel Engineered Nanoscale Electronic Devices
5.0. Introduction to Nanoscale devices
5.1. Non-Conventional Solutions to Miniaturization Problems
5.2. Gate and Channel Engineering Techniques
5.3. Multi-gate Multi-material MOSFET
5.4. Multi-gate Multi-material Tunnel FET
5.5. Summary
5.6. References
6. Spin Nanoscale Electronic Devices and their Applications
6.0. Introduction to Spintronics
6.1. Spin Devices
6.2 Summary
6.3 References
7. Phase Change Devices and their Applications
7.0. Introduction
7.1. Phase Change Memory (PCM)
7.2. Memristor
7.3. Resistive Random Access Memory (RRAM)
7.5. Summary
7.6. References