ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Nanoparticle Engineering for Chemical-Mechanical Planarization: Fabrication of Next-Generation Nanodevices

دانلود کتاب مهندسی نانوذرات برای برنامه ریزی شیمیایی- مکانیکی: ساخت نانودیس های نسل بعدی

Nanoparticle Engineering for Chemical-Mechanical Planarization: Fabrication of Next-Generation Nanodevices

مشخصات کتاب

Nanoparticle Engineering for Chemical-Mechanical Planarization: Fabrication of Next-Generation Nanodevices

دسته بندی: علم شیمی
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 1420059114, 9781420059113 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 196 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 11 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 34,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Nanoparticle Engineering for Chemical-Mechanical Planarization: Fabrication of Next-Generation Nanodevices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مهندسی نانوذرات برای برنامه ریزی شیمیایی- مکانیکی: ساخت نانودیس های نسل بعدی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مهندسی نانوذرات برای برنامه ریزی شیمیایی- مکانیکی: ساخت نانودیس های نسل بعدی



در توسعه نسل بعدی دستگاه‌های نانومقیاس، سرعت بالاتر و عملکرد کمتر نام بازی است. اتکای فزاینده به رایانه های همراه، تلفن همراه و سایر دستگاه های الکترونیکی به سرعت و قدرت بیشتری نیاز دارد. از آنجایی که صفحه‌نمایش مکانیکی شیمیایی (CMP) به تدریج کمتر به‌عنوان هنر سیاه و بیشتر به‌عنوان یک فناوری پیشرفته شناخته می‌شود، به‌عنوان فناوری برای دستیابی به دستگاه‌های با کارایی بالاتر در حال ظهور است.

مهندسی نانوذرات برای مواد شیمیایی Mechanical Planarization خواص فیزیکوشیمیایی نانوذرات را با توجه به هر مرحله در فرآیند CMP، از جمله CMP دی الکتریک، CMP جداسازی روند کم عمق، CMP فلزی، CMP جداسازی پلی و CMP فلز نجیب توضیح می دهد. نویسندگان راهنمای دقیقی برای مهندسی نانوذرات دوغاب CMP جدید برای دستگاه‌های نانومقیاس نسل بعدی زیر قانون طراحی 60 نانومتری ارائه می‌کنند. آنها تکنیک های طراحی را با استفاده از افزودنی های پلیمری برای بهبود عملکرد CMP ارائه می کنند. فصل آخر بر دوغاب CMP جدید برای کاربرد در دستگاه های حافظه فراتر از فناوری 50 نانومتری تمرکز دارد.

اکثر کتاب های منتشر شده در CMP بر روی فرآیند پرداخت، تجهیزات و تمیز کردن تمرکز دارند. حتی اگر برخی از این کتاب‌ها روی دوغاب‌های CMP تأثیر بگذارند، روش‌هایی که آنها را پوشش می‌دهند به دوغاب‌های معمولی محدود می‌شوند و هیچ‌کدام آن‌ها را با جزئیات مورد نیاز برای توسعه دستگاه‌های نسل بعدی پوشش نمی‌دهند. این کتاب با پوشش مفاهیم اساسی و فناوری‌های جدید، بینش تخصصی را در مورد CMP برای همه سیستم‌های نسل فعلی و نسل بعدی ارائه می‌دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

In the development of next-generation nanoscale devices, higher speed and lower power operation is the name of the game. Increasing reliance on mobile computers, mobile phone, and other electronic devices demands a greater degree of speed and power. As chemical mechanical planarization (CMP) progressively becomes perceived less as black art and more as a cutting-edge technology, it is emerging as the technology for achieving higher performance devices.

Nanoparticle Engineering for Chemical-Mechanical Planarization explains the physicochemical properties of nanoparticles according to each step in the CMP process, including dielectric CMP, shallow trend isolation CMP, metal CMP, poly isolation CMP, and noble metal CMP. The authors provide a detailed guide to nanoparticle engineering of novel CMP slurry for next-generation nanoscale devices below the 60nm design rule. They present design techniques using polymeric additives to improve CMP performance. The final chapter focuses on novel CMP slurry for the application to memory devices beyond 50nm technology.

Most books published on CMP focus on the polishing process, equipment, and cleaning. Even though some of these books may touch on CMP slurries, the methods they cover are confined to conventional slurries and none cover them with the detail required for the development of next-generation devices. With its coverage of fundamental concepts and novel technologies, this book delivers expert insight into CMP for all current and next-generation systems.



فهرست مطالب

1420059114......Page 1
Nanoparticle Engineering for Chemical-Mechanical Planarization: Fabrication of Next-Generation Nanodevices......Page 2
Contents......Page 4
Preface......Page 7
Ungyu Paik......Page 8
Jea-Gun Park......Page 9
1.1 Motivation and Background......Page 11
1.2.1 CMP Polishing Machines......Page 13
1.2.2 Slurry for CMP......Page 14
1.2.4 Slurry Supply Equipment and Filtering Equipment......Page 16
2.2 Rheological and Electrokinetic Behavior of Nano Fumed Silica Particle for ILD CMP......Page 19
2.2.1 The Unique Behavior of Concentrated Nano Fumed Silica Hydrosols......Page 20
2.2.2 Electrokinetic Behavior of Nano Silica Hydrosols......Page 21
2.2.3 Geometric Consideration......Page 22
2.3.1 Surface Modification of Silica Particle......Page 24
2.3.2 Improvement of IL D CMP with Modified Silica Slurry......Page 26
2.4 PAD Dependency in ILD CMP......Page 27
2.5.1 CMP Tool Dependency......Page 30
2.5.2 Pattern Density Dependency......Page 35
3.1 Requirement for High Selectivity Slurry......Page 44
3.2.1 Physical Properties of Ceria Particles......Page 47
3.2.2 STI CMP Performance with Ceria Slurries......Page 48
3.2.3 Influence of Crystalline Structure of Ceria Particles on the Remaining Particles......Page 49
3.3 Chemical Engineering for High Selectivity in STI CMP......Page 54
3.3.1 Electrokinetic Behavior of the Ceria Particle, Oxide, and Nitride Films......Page 55
3.3.2 STI CMP Performance in Different Suspension pH......Page 56
3.3.3 The Conformation of Polymeric Molecules and STI CMP Performance......Page 59
3.4 Force Measurement Using Atomic Force Microscopy for Mechanism......Page 64
3.5 Pattern Dependence of High-Selectivity Slurry......Page 69
4.1 Introduction......Page 87
4.2 High Selectivity for Copper CMP......Page 90
4.3.1 Dishing Dependency on Feature Size and Pattern Density......Page 96
4.3.2 Pattern Effects on Planarization Efficiency of Cu Electropolishing......Page 102
4.3.3 Cu Pad Size and Linewidth Affect Dishing......Page 110
4.3.3.1 Pattern Dependence of Dishing and Erosion Phenomena......Page 112
4.3.3.2 TaN Cap Process for Cu Corrosion Prevention and Thermal Stability Improvement......Page 113
5.1 What Is Nanotopography?......Page 119
5.2 Why Nanotopography Is Important......Page 121
5.3.1 General Introduction......Page 122
5.3.2 Spectral Analysis of the Impact of Nanotopography on Oxide CMP and Fourier Transform Method......Page 124
5.3.3.1 Wafering Method Dependency of Impact of Nanotopography on Oxide CMP......Page 128
5.3.3.2 Slurry Characteristic Dependency of Impact of Nanotopography on Oxide CMP......Page 134
5.3.3.3 Effect of Wafer Nanotopography on Remaining Polysilicon Thickness Variation after Polysilicon CMP......Page 138
5.3.3.4 Effect of VT Variation of Wafer Nanotopography on Remaining Polysilicon Thickness Variation after Polysilicon CMP......Page 139
5.4.1 Introduction to General Equipment Used in the Measurement of Nanotopography......Page 144
5.4.1.1 SQMTM (Surface Quality Monitor), from ADE, USA......Page 146
5.4.1.2 NanoMapper, from ADE Phase Shift, USA......Page 147
5.4.1.3 DynaSearch, from Raytex, Japan......Page 149
5.4.1.5 Calibration among the Standard Deviations of Height Change Measured by Three Kinds of Instruments......Page 151
6.1 The Progress of Semiconductor Devices upon Current Demand......Page 156
6.2 Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) Memory......Page 158
6.2.1 Noble Metal CMP for DRAM......Page 159
6.2.2 Poly Si CMP for NAND Flash Memory......Page 161
6.3.1 GST CMP for PRAM......Page 170
6.3.2 Novel CMP for ReRAM......Page 177
Figure 2.7......Page 178
Figure 2.17......Page 179
Figure 2.19......Page 180
Figure 3.2......Page 181
Figure 3.6......Page 182
Figure 3.28......Page 183
Figure 4.2......Page 184
Figure 4.10......Page 185
Figure 5.3......Page 186
Figure 5.6......Page 187
Figure 5.21......Page 188
Figure 5.22......Page 189
Figure 6.10......Page 190
Figure 6.16......Page 191
References......Page 192




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی