ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Nano-scaled Semiconductor Devices: Physics, Modelling, Characterisation, and Societal Impact

دانلود کتاب دستگاه های نیمه هادی مقیاس نانو: فیزیک ، مدل سازی ، خصوصیات و تأثیرات اجتماعی

Nano-scaled Semiconductor Devices: Physics, Modelling, Characterisation, and Societal Impact

مشخصات کتاب

Nano-scaled Semiconductor Devices: Physics, Modelling, Characterisation, and Societal Impact

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری: Materials circuits and devices series 27 
ISBN (شابک) : 1849199302, 1849199310 
ناشر: The Institution of Engineering and Technology 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: 465 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 16 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 44,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب دستگاه های نیمه هادی مقیاس نانو: فیزیک ، مدل سازی ، خصوصیات و تأثیرات اجتماعی: نیمه هادی ها، نانومواد.



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Nano-scaled Semiconductor Devices: Physics, Modelling, Characterisation, and Societal Impact به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه های نیمه هادی مقیاس نانو: فیزیک ، مدل سازی ، خصوصیات و تأثیرات اجتماعی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه های نیمه هادی مقیاس نانو: فیزیک ، مدل سازی ، خصوصیات و تأثیرات اجتماعی

تکامل سریع فناوری مدارهای مجتمع، مواد و مراحل پردازش جدیدی را در مقیاس نانو با خود به همراه آورده است که عملکرد الکتریکی دستگاه‌ها را افزایش می‌دهد و در نتیجه لوازم الکترونیکی سریع‌تر و از نظر عملکردی پیچیده‌تر می‌شود. با این حال، کار در این مقیاس کاهش یافته می تواند اثرات مرتبه دومی داشته باشد که کارایی و قابلیت اطمینان را کاهش می دهد. این کتاب روش‌هایی را برای توصیف، مدل‌سازی و پیش‌بینی شبیه‌سازی این اثرات مرتبه دوم به منظور بهینه‌سازی عملکرد و بهره‌وری انرژی توضیح می‌دهد. همچنین کاربردهای جدیدی از دستگاه های نیمه هادی در مقیاس نانو را در نظر می گیرد.

دستگاه ها و مواد تحت پوشش عبارتند از: ماسفت های حجیم، دستگاه های FET سیلیکونی روی عایق، دستگاه های FinFet، FET های تونل زنی، نانوسیم ها، نقاط کوانتومی، آمورف و آلیاژهای SiGe، آشکارسازهای نوری و بولومترهای ریز ماشینکاری شده، و بسته سیلیکون سازگار با فرآیند CMOS.

روش‌های مدل‌سازی و مشخصه‌سازی تحت پوشش عبارتند از: ابزارهای طراحی به کمک رایانه. رویکردهای کلاسیک، نیمه کلاسیک و کوانتومی نیمه کلاسیک. تأثیر فرآیندهای فناوری بر مدل سازی دستگاه؛ اندازه گیری و استخراج پارامترهای الکتریکی پایه؛ اثرات انگلی و جاسازی در شرایط تعصب غیر متعارف. مکانیسم های طول عمر و شکست؛ بی ثباتی دما; مکانیسم های شکست وابسته به زمان؛ و رویکردهای جدید برای تعیین خصوصیات دستگاه از جمله رسانایی مغناطیسی و تونل زنی مغناطیسی.

دستگاه های نیمه هادی با مقیاس نانو منبعی جامع برای محققان دانشگاهی و صنعتی است که بر روی دستگاه های الکترونیکی، نانوتکنولوژی و فناوری کار می کنند. خصوصیات نیمه هادی


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The rapid evolution of integrated circuit technology has brought with it many new materials and processing steps, at the nano-scale, which boost the electrical performance of devices, resulting in faster and more functionally-complex electronics. However, working at this reduced scale can bring second order effects that degrade efficiency and reliability. This book describes methods for the characterization, modelling, and simulation prediction of these second order effects, in order to optimize performance and energy effi ciency. It also considers new uses of nano-scaled semiconductor devices.

Devices and materials covered include: bulk MOSFETs, silicon-on-insulator FET devices, FinFet devices, tunnelling FETs, nanowires, quantum dots, amorphous and SiGe alloys, photodetectors and micro-machined bolometers, and CMOS process-compatible siliconin-package.

Modelling and characterization methods covered include: computer-aided-design tools; classical, semi-classical, and quantum-semi-classical approaches; impact of technology processes on device modelling; measurement and extraction of basic electrical parameters; parasitic effects and de-embedding under non-conventional bias conditions; lifetime and failure mechanisms; bias temperature instability; time-dependent breakdown mechanisms; and new approaches for device characterization including magnetoconductance and magneto-tunnelling.

Nano-Scaled Semiconductor Devices is a comprehensive resource for researchers in academia and industry working on electronic devices, nanotechnology and semiconductor characterization



فهرست مطالب

Content: Chapter 1: IntroductionChapter 2: Device physics, modelling and technology for nano-scaled semiconductor devicesChapter 3: Advanced device characterisation techniquesChapter 4: The semiconductor device technology and its societal impactChapter 5: The silicon era and beyond




نظرات کاربران