دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Hei Wong
سری:
ISBN (شابک) : 9781439849590, 1439849595
ناشر: CRC Press
سال نشر: 2012
تعداد صفحات: 242
زبان:
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 10 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Nano-CMOS gate dielectric engineering به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مهندسی دی الکتریک گیت نانو CMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Content: Machine generated contents note: 1.Overview of CMOS Technology --
1.1.Introduction --
1.2.MOS Transistor: A Quick Introduction to Classical Models --
1.2.1.Current-Voltage Characteristics --
1.2.2.Threshold Voltage --
1.3.Short-Channel Effects and Short-Channel Modifications --
1.3.1.Effect on I-V Characteristics --
1.3.2.Subthreshold Conduction --
1.3.3.Short-Channel Effects --
1.3.3.Threshold Voltage Roll-Off --
1.3.4.Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) --
1.3.5.Gate Leakage Current --
1.3.5.1.Direct-Tunneling --
1.3.5.2.Fowler-Nordheim Tunneling --
1.3.5.3.Poole-Frenkel Emission and Trap-Assisted Tunneling --
1.4.Features and Uniqueness of MOS Transistor --
1.5.MOS in Deca-Nanometer --
1.6.Technology Trends and Options --
1.6.1.Technology Trends --
1.6.2.Technology Options --
1.6.2.1.Device Structures --
1.6.2.2.Channel Engineering --
1.6.2.3.Source and Drain Engineering --
1.6.2.4.Gate Stack Engineering --
1.6.3.More than Moore --
1.7.Summary --
References --
2.High-k Dielectrics --
2.1.High-k Candidates --
2.2.Electronic Structure of Transition Metals and Rare Earth Metals --
2.2.1.Electronegativity --
2.2.2.Bond Radius --
2.3.Material Properties of Elemental Transition Metal and Rare Metal Oxides --
2.3.1.Atomic and Electronic Structures --
2.3.2.Electronic Structure of Some High-k Oxides --
2.3.2.1.Electronic Structure of Aluminum Oxide --
2.3.2.2.Electronic Structure of Crystalline Hafnium Oxide --
2.3.2.3.Electronic Structure of Crystalline Zirconium Oxide --
2.3.2.4.Electronic Structure of Rare Earth Metal Oxides --
2.4.Bandgap and Band Offset Energies --
2.5.Bond Ionicity and Dielectric Constant --
2.6.Carrier Effective Masses --
2.7.Thermal Stability --
2.7.1.Crystallization --
2.7.2.Decomposition and Si Out-Diffusion --
2.8.Disorders and Defects --
2.8.1.Intrinsic Oxygen Vacancies --
2.8.2.Oxygen Interstitials --
2.8.3.Grain Boundary States --
2.8.4.Extrinsic Defects --
2.8.5.High-k/Si Interface Traps --
2.9.Summary --
References --
3.Complex Forms of High-k Oxides --
3.1.Introduction --
3.2.Silicates and Aluminates Pseudo-Binary Alloys --
3.3.Stoichiometric Binary Alloys --
3.4.Doping --
3.5.Thermal Stability and Phase Separation --
3.6.Summary --
References --
4.Dielectric Interfaces --
4.1.Introduction --
4.2.High-k/Silicon Interface --
4.2.1.Interfacial Bonding --
4.2.2.Bond Strain, Relaxation, and Phase Diagrams --
4.2.3.Band Offsets --
4.3.High-k/Metal Interface --
4.3.1.Need of Metal Gate --
4.3.2.Band Offset Energies --
4.3.3.Interface Stability --
4.4.Summary --
References --
5.Impacts on Device Operation --
5.1.Introduction --
5.2.Gate Leakage Current --
5.2.1.Current Conduction Mechanisms --
5.2.2.Parameters Governing the Charge Transport --
5.3.Threshold Voltage Control and Fermi-Level Pinning --
5.4.Channel Mobility --
5.5.Subthreshold Characteristics --
5.6.Dielectric Breakdown --
5.7.Hot-Carrier Effects --
5.8.Temperature Instabilities --
5.9.Summary --
References --
6.Fabrication Issues --
6.1.Process Integration --
6.2.Atomic Layer Deposition --
6.3.Metal Organic Chemical Vapor Deposition --
6.4.Physical Vapor Deposition --
6.5.Etching --
6.6.Summary --
References --
7.Conclusions.