دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics
دانلود کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics
مشخصات کتاب
Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics
ویرایش: نویسندگان: Saraju P. Mohanty, Ashok Srivastava سری: Materials, Circuits & Devices ISBN (شابک) : 1849199973, 1849199981 ناشر: The Institution of Engineering and Technology سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 383 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 15 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 42,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics: نیمه هادی های اکسید فلز، مکمل -- طراحی و ساخت.
در صورت تبدیل فایل کتاب Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics
تقاضا برای وسایل الکترونیکی کوچکتر و قابل حمل تر، فناوری مبتنی
بر نیمه هادی اکسید فلز (CMOS) را با کوچکترین اندازه های ویژگی
ممکن به حد فیزیکی خود رسانده است. این مشکلات مختلف مرتبط با
اندازه مانند نشت توان بالا، قابلیت اطمینان کم و اثرات حرارتی را
ارائه می‌کند و محدودیتی برای کوچک‌سازی بیشتر است. برای فعال
کردن وسایل الکترونیکی کوچکتر، نانو دستگاه‌های مختلفی از جمله
ترانزیستورهای نانولوله‌ای کربنی، ترانزیستورهای گرافن،
ترانزیستورهای تونلی و ممریستورها (که مجموعاً دستگاه‌های
post-CMOS نامیده می‌شوند) در حال ظهور هستند که می‌توانند
جایگزین ترانزیستور سیلیکونی سنتی و همه‌جا شوند.
این اثر بیش از دو جلد، مدلسازی، طراحی و اجرای الکترونیک CMOS
در مقیاس نانو و نسل جدید دستگاه‌های پس از CMOS را در هر دو سطح
دستگاه و مدار توصیف می‌کند.
جلد 1 این موارد را بررسی می‌کند. نانو الکترونیک در سطح دستگاه
شامل مدل سازی و طراحی. موضوعات تحت پوشش شامل دستگاه های دی
الکتریک با K بالا است. ترانزیستورهای گرافن؛ کانال های n و p
تحرک بالا؛ خازن های آندی MIM; دستگاه های FinFET؛ ملاحظات قابلیت
اطمینان پردازنده های نسل بعدی؛ درج بافر مبتنی بر زمان برای
اتصالات نانولوله کربنی. ترانزیستورهای نانوسیمی با قطبیت قابل
کنترل؛ نانولوله های کربنی برای انتقال کارآمد توان؛ مدلسازی
ممریستورها در مقیاس نانو؛ و دستگاه های نورومورفیک
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
The demand for ever smaller and more portable electronic
devices has driven metal oxide semiconductor-based (CMOS)
technology to its physical limit with the smallest possible
feature sizes. This presents various size-related problems such
as high power leakage, low-reliability, and thermal effects,
and is a limit on further miniaturization. To enable even
smaller electronics, various nano-devices including carbon
nanotube transistors, graphene transistors, tunnel transistors
and memristors (collectively called post-CMOS devices) are
emerging that could replace the traditional and ubiquitous
silicon transistor.
Over two volumes this work describes the modelling, design, and
implementation of nano-scaled CMOS electronics, and the new
generation of post-CMOS devices, at both the device and circuit
levels.
Volume 1 explores these nano-electronics at the device level
including modelling and design. Topics covered include high-K
dielectric based devices; graphene transistors; high mobility n
and p channels; anodic MIM capacitors; FinFET devices;
reliability considerations of next-generation processors;
timing driven buffer insertion for carbon nanotube
interconnects; controllable-polarity nanowire transistors;
carbon nanotubes for efficient power delivery; modelling of
memristors at nanoscale; and neuromorphic devices
فهرست مطالب
Content: Chapter 1: High-κ dielectrics and device reliabilityChapter 2: High mobility n and p channels on gallium arsenide and silicon substrates using interfacial misfit dislocation arraysChapter 3: Anodic metal-insulator-metal (MIM) capacitorsChapter 4: Graphene transistors - present and beyondChapter 5: Junction and doping-free transistors for future computingChapter 6: Nanoscale high-κ/metal-gate CMOS and FinFET based logic librariesChapter 7: FinFET and reliability considerations of next-generation processorsChapter 8: Multiple-independent-gate nanowire transistors: from technology to advanced SoC designChapter 9: Exploration of carbon nanotubes for efficient power deliveryChapter 10: Timing driven buffer insertion for carbon nanotube interconnectsChapter 11: Memristor modeling - static, statistical, and stochastic methodologiesChapter 12: Neuromorphic devices and circuits
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب A+ Certification for Dummies, 3rd edition
دانلود کتاب Culture - A critical review of concepts and definitions. By A. L. Kroeber and C. Kluckhohn, with the assistance of Wayne Untereiner and appendices by Alfred G. Meyer
دانلود کتاب Теория государства и права. Завтра экзамен
