دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1st
نویسندگان: Yuhua Cheng. Chenming Hu
سری:
ISBN (شابک) : 0792385756, 9780792385752
ناشر: Springer
سال نشر: 1999
تعداد صفحات: 466
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 6 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب MOSFET Modeling and BSIM3 User's Guide به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مدلسازی ماسفت و راهنمای کاربر BSIM3 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
شبیه سازی مدار در طراحی مدار مجتمع ضروری است و دقت شبیه سازی مدار به دقت مدل ترانزیستور بستگی دارد. BSIM3v3 (BSIM for Berkeley Short-channel IGFET Model) به عنوان اولین مدل ماسفت برای استانداردسازی توسط شورای مدل فشرده، کنسرسیومی از شرکت های پیشرو در ابزارهای نیمه هادی و طراحی انتخاب شده است. در چند سال آینده، انتظار می رود بسیاری از شرکت های نیمه هادی یکپارچه و بی سیم از ده ها مدل دیگر ماسفت به BSIM3 سوئیچ کنند. این امر به بسیاری از مهندسان دستگاه و اکثر طراحان مدار نیاز دارد تا اصول اولیه BSIM3 را بیاموزند. مدلسازی ماسفت
Circuit simulation is essential in integrated circuit design, and the accuracy of circuit simulation depends on the accuracy of the transistor model. BSIM3v3 (BSIM for Berkeley Short-channel IGFET Model) has been selected as the first MOSFET model for standardization by the Compact Model Council, a consortium of leading companies in semiconductor and design tools. In the next few years, many fabless and integrated semiconductor companies are expected to switch from dozens of other MOSFET models to BSIM3. This will require many device engineers and most circuit designers to learn the basics of BSIM3. MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide explains the detailed physical effects that are important in modeling MOSFETs, and presents the derivations of compact model expressions so that users can understand the physical meaning of the model equations and parameters. It is the first book devoted to BSIM3. It treats the BSIM3 model in detail as used in digital, analog and RF circuit design. It covers the complete set of models, i.e., I-V model, capacitance model, noise model, parasitics model, substrate current model, temperature effect model and non quasi-static model. MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide not only addresses the device modeling issues but also provides a user's guide to the device or circuit design engineers who use the BSIM3 model in digital/analog circuit design, RF modeling, statistical modeling, and technology prediction. This book is written for circuit designers and device engineers, as well as device scientists worldwide. It is also suitable as a reference for graduate courses and courses in circuit design or device modelling. Furthermore, it can be used as a textbook for industry courses devoted to BSIM3. MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide is comprehensive and practical. It is balanced between the background information and advanced discussion of BSIM3. It is helpful to experts and students alike.