Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures

مؤسسه مطالعات پیشرفته ناتو در مورد "همپایی پرتو مولکولی (MBE) و ناهمساختارها" در مرکز فرهنگ علمی اتوره مایورانا، اریس، ایتالیا، در تاریخ 7 تا 19 مارس 1983، دومین دوره از بین المللی برگزار شد. جستجوی مجدد دستگاه های مدرسه حالت جامد. این جلد شامل سخنرانی های ارائه شده در موسسه است. در طول تاریخ توسعه نیمه هادی ها، پیوند بین تکنیک های پردازش و ساختار دستگاه برای تحقیقات علمی و کاربردهای تکنولوژیکی بارها و بارها نشان داده شده است. ایده‌های جدید معمولاً در تکنیک‌های موجود، که اغلب به نوآوری‌های فرآیندی منجر می‌شود، نیاز دارند. از سوی دیگر، ظهور یک فرآیند، همواره فرصت هایی را برای بهبود و اختراع دستگاه ایجاد می کند. این رابطه صمیمی بین این دو اخیراً در MBE و ساختارهای ناهمسان موضوع این مؤسسه مشاهده شده است. این جلد به چند بخش تقسیم شده است. فصل 1 با ارائه دیدگاهی از موضوع به عنوان مقدمه عمل می کند. این با دو بخش دنبال می‌شود که هر کدام شامل چهار فصل است، فصل‌های 2-5 به اصول فرآیند MBE می‌پردازند و فصل‌های 6-9 استفاده از آن را در رشد انواع نیمه‌رساناها و ساختارهای هتروس توضیح می‌دهند. دو بخش بعدی، فصل‌های تا-II و فصل‌های 12-15، به ترتیب به تئوری و خواص الکترونیکی ناهم‌ساختارها می‌پردازند. تمرکز بر کوانتیزاسیون انرژی سیستم الکترونی دو بعدی است. فصل های 16-17 به ساختارهای دستگاه، از جمله ترانزیستورهای اثر میدانی و لیزرها و آشکارسازها اختصاص دارد.

The NATO Advanced Study Institute on "Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Heterostructures" was held at the Ettore Majorana Center for Scientific Culture, Erice, Italy, on March 7-19, 1983, the second course of the International School of Solid-State Device Re­ search. This volume contains the lectures presented at the Institute. Throughout the history of semiconductor development, the coupling between processing techniques and device structures for both scientific investigations and technological applications has time and again been demonstrated. Newly conceived ideas usually demand the ultimate in existing techniques, which often leads to process innova­ tions. The emergence of a process, on the other hand, invariably creates opportunities for device improvement and invention. This intimate relationship between the two has most recently been witnessed in MBE and heterostructures, the subject of this Institute. This volume is divided into several sections. Chapter 1 serves as an introduction by providing a perspective of the subject. This is followed by two sections, each containing four chapters, Chapters 2-5 addressing the principles of the MBE process and Chapters 6-9 describ­ ing its use in the growth of a variety of semiconductors and heteros­ tructures. The next two sections, Chapters to-II and Chapters 12-15, treat the theory and the electronic properties of the heterostructures, respectively. The focus is on energy quantization of the two­ dimensional electron system. Chapters 16-17 are devoted to device structures, including both field-effect transistors and lasers and detec­ tors.