ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Molecular Beam Epitaxy

دانلود کتاب اپیتاکسی پرتو مولکولی

Molecular Beam Epitaxy

مشخصات کتاب

Molecular Beam Epitaxy

ویرایش: 1 
 
سری:  
ISBN (شابک) : 9780123878397 
ناشر: Elsevier Science 
سال نشر: 2012 
تعداد صفحات: 720 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 69 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 49,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 23


در صورت تبدیل فایل کتاب Molecular Beam Epitaxy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اپیتاکسی پرتو مولکولی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اپیتاکسی پرتو مولکولی



این کتاب راهنما با چند مشارکت کننده، اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE)، یک تکنیک رسوب دهی همپایه را مورد بحث قرار می دهد که شامل قرار دادن لایه هایی از مواد با ضخامت اتمی بر روی بسترها است. این تحقیق و کاربرد MBE در رشد اپیتاکسیال را با بحث دقیق و نحوه پردازش پرتوهای مولکولی یا اتمی که روی سطح یک بستر کریستالی گرم شده در خلاء رخ می‌دهند، خلاصه می‌کند.

MBE در طول سی سال گذشته (از نظر نویسندگان، مقالات و کنفرانس‌های منحصربه‌فرد) از یک حوزه تحقیقاتی خالص به برنامه‌های تجاری (ساختارهای دستگاه نمونه اولیه و موارد دیگر در مرحله تحقیقات پیشرفته) اهمیت یافته است. MBE مهم است زیرا پدیده های جدید دستگاه را قادر می سازد و تولید ساختارهای چند لایه را با کنترل ابعادی و ترکیبی بسیار خوب تسهیل می کند. این تکنیک‌ها را می‌توان در هر جایی که دستگاه‌های لایه نازک دقیق با ویژگی‌های پیشرفته و منحصربه‌فرد برای محاسبات، اپتیک یا فوتونیک مورد نیاز است، به کار برد. این کتاب پیشرفت های انجام شده توسط MBE را در زمینه تحقیق و تولید انبوه دستگاه های الکترونیکی و نوری پوشش می دهد. این شامل مواد نیمه هادی جدید، ساختارهای دستگاه جدید است که به صورت تجاری در دسترس هستند، و بسیاری موارد دیگر که در مرحله تحقیقات پیشرفته هستند.

  • علم بنیادی MBE را به یک مرجع مدرن متراکم می‌کند، مرور ادبیات را تسریع می‌کند
  • مواد جدید، برنامه‌های کاربردی جدید و ساختار دستگاه‌های جدید را مورد بحث قرار می‌دهد، برنامه‌های تجاری کنونی را با درک مدرن پایه‌گذاری می‌کند. صنعت و تحقیقات
  • پوشش MBE به عنوان فناوری همپایه تولید انبوه، کارایی و توان پردازش را برای صنعت نیمه هادی و جامعه تحقیقاتی مواد نیمه هادی نانوساختار افزایش می دهد

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This multi-contributor handbook discusses Molecular Beam Epitaxy (MBE), an epitaxial deposition technique which involves laying down layers of materials with atomic thicknesses on to substrates. It summarizes MBE research and application in epitaxial growth with close discussion and a 'how to' on processing molecular or atomic beams that occur on a surface of a heated crystalline substrate in a vacuum.

MBE has expanded in importance over the past thirty years (in terms of unique authors, papers and conferences) from a pure research domain into commercial applications (prototype device structures and more at the advanced research stage). MBE is important because it enables new device phenomena and facilitates the production of multiple layered structures with extremely fine dimensional and compositional control. The techniques can be deployed wherever precise thin-film devices with enhanced and unique properties for computing, optics or photonics are required. This book covers the advances made by MBE both in research and mass production of electronic and optoelectronic devices. It includes new semiconductor materials, new device structures which are commercially available, and many more which are at the advanced research stage.

  • Condenses fundamental science of MBE into a modern reference, speeding up literature review
  • Discusses new materials, novel applications and new device structures, grounding current commercial applications with modern understanding in industry and research
  • Coverage of MBE as mass production epitaxial technology enhances processing efficiency and throughput for semiconductor industry and nanostructured semiconductor materials research community


فهرست مطالب

Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production\r......Page 1
Copyright......Page 2
Preface......Page 3
Contributors......Page 4
2.1 Introduction......Page 53
2.2 Wake shield facility......Page 54
2.3 SHIELD......Page 56
References......Page 59
5.1 Introduction......Page 116
5.3 Polar diagram of the growth rate of III–V compound semiconductors......Page 117
5.4 Formation of crystal facets at the boundaries of microstructures......Page 118
5.5 Area selective growth on \0  ㄀ GaAs substrate by MEE using As4 and As2......Page 120
5.6 Area selective growth on \0㄀㄀㄀B GaAs substrate by MEE......Page 121
References......Page 122
References......Page 171
References......Page 523
References......Page 570
25.1 Introduction......Page 572
25.2 MBE growth and electronic structure of Bi2Te3......Page 573
25.3 MBE growth and electronic structure of Bi2Se3 \0匀戀㈀吀攀㌀......Page 579
References......Page 581
Reference......Page 668
References......Page 684
References......Page 708
A......Page 710
C......Page 711
E......Page 712
G......Page 713
I......Page 714
M......Page 715
P......Page 716
R......Page 717
S......Page 718
U......Page 719
Z......Page 720




نظرات کاربران